本文目录一览：
- 1、三星电子开展代工部门良率问题内部调查
- 2、骁龙8+gen1处理器怎么样
- 3、三星处理器站起来了？Exynos 2200图形性能、GPU性能都超过苹果A14
- 4、三星3纳米超越台积电，国产化如何打破“骗和局”？
- 5、三星导致高通5G芯片全部报废，对高通的损失有多大？
- 6、传三星将扩大多项目晶圆服务，制程扩大至4nm，其发展会怎么样？
- 7、高通第二财季业绩超预期，营收净利双增长
- 8、全球首个3nm芯片将量产，三星造？
- 9、4grend2的处理器性能怎么样？
- 10、骁龙4gen1处理器相当于天玑多少处理器
三星电子开展代工部门良率问题内部调查
三星电子开展代工部门良率问题内部调查
三星电子开展代工部门良率问题内部调查，三星电子正在追查半导体事业暨装置解决方案部门内部的良率问题，目前对自查的具体情况尚无对外界分享的具体计划。目前对自查的具体情况尚无对外界分享的具体计划。。
三星电子开展代工部门良率问题内部调查1 据韩媒Infostock Daily报道，近期三星电子怀疑旗下半导体代工厂的产量及良率报告存在“造假”行为，正计划开展一项内部调查。
据悉，三星电子DS部门（三星电子旗下半导体事业暨装置解决方案事业部，三星芯片代工业务隶属于该部门）近期正接受管理咨询部门就三星芯片代工厂的5nm工艺的良率的调查，紧随其后的将是4nm和3nm。
相关部门高管近期正接受内部审查
事情的起因是，三星芯片代工业务近日饱受低良率之苦，在3/4/5nm节点的芯片制程被批准用于为三星以及第三方芯片设计公司量产后，出现了良品率极其低下的情况，尽管订单不断涌入，交货时间却不断延后，招致了三星高层的怀疑。
一位熟悉三星电子内部情况的高管表示：“由于（芯片代工厂）交付的数量难以满足最近的代工订单量，我们对非内存工艺的良率表示怀疑，众所周知，基于该良率（指此前良率报告的数据）是可以满足订单交付的.。”
目前，管理咨询部门的怀疑对象是DS部门现任及前任高管，调查内容包括：之前递交的良率报告是否真实、用于提升良率的资金究竟流向何方。
对于业界种种传闻，三星电子表示，经营诊断为例行事务，对于目前正在讨论的事项、日程及相关内容，不便多加透露。
三星跌倒 台积电吃饱？
目前，台积电和三星竞逐5nm及以下先进制程，是全球唯二有制造3nm芯片能力的芯片代工企业。
综合韩媒TheElec、电子时报等多家媒体报道，由于三星代工的4nm AP处理器骁龙8 Gen1的良品率约为35%，而三星自己的4nm Exynos2200芯片的良率甚至更低，高通已将其4nm AP处理器骁龙8Gen1的部分代工订单交给了台积电，该产品之前由三星电子独家代工。另外，高通还将其3nm AP处理器的代工订单也交给了台积电，将于明年独家推出。
不过，提高先进制程产品良率的难度非常大。以3nm芯片为例，台积电已经数次调整方案，衍生出N3、N3E与N3B等多个版本，以寻求最合适且符合不同客户需求的设计路线，但迄今依旧没有达成清晰的方案。面对3nm延迟传言，台积电此前再三强调，N3产品在按原计划开发，将于2022年下半量产。但仍有业内人士预测，台积电预定的3nm月产能恐难达标。
三星电子开展代工部门良率问题内部调查2 据韩媒infostockdaily最新报道，三星电子正在追查半导体事业暨装置解决方案（Device Solutions；DS）部门内部的良率问题，其中将重点关注3、4、5nm方向获得的代工业务的良率问题。
据熟悉三星电子内部情况的一位相关人士表示："最近，由于生产量低于所接订单的要求，所以三星在交货期到来时倍感压力，这是事实。"
该人士同时表示，三星正在集中调查DS部门前任和现任经营层，在投入巨额资金来确保产量上，是否存在虚假行为。
业界相关人士表示，三星晶圆代工业务能进入 3nm、4nm 等先进制程非常不易。
现代经济研究院顾问崔阳五表示："三星电子DH部门的问题，意味着台积电也在3纳米或4纳米的代工问题上徘徊，而且尖端的公平竞争已经进入了无法预测的事故多发区间。三星电子投资者有必要密切关注情况，直到经营团问题得到解决为止。"
他认为，此次罕见的对晶圆代工业务的审查，值得相关投资者、业界，密切关注情势发展。
对此，三星电子方面表示，经营管理方面的自查是集团的日常事务， 目前对自查的具体情况尚无对外界分享的具体计划。
据悉，韩国媒体近日还报道称，因为三星电子代工良率过低，高通已决定将其骁龙8 Gen1订单转向台积电生产（或为Plus版本），而后续的3nm芯片也将全量委托给台积电代工。
三星电子开展代工部门良率问题内部调查3 2月25日消息，目前三星正在晶圆代工领域投入巨资，希望在先进制程上超越台积电，不仅4nm工艺拿到了高通旗舰处理器骁龙8 Gen1的订单，还计划在2022年抢先台积电量产3nm。但是，最新曝光的一份报告则显示，三星晶圆代工部门可能对于其5nm和4nm的良率数据进行造假。目前三星内部已经对此启动了调查。
据韩国媒体infostockdaily近日爆料称，近期三星电子正计划扩大对于为确保产量及良率而支出的大量资金下落进行调查，并怀疑此前有关三星半导体代工厂的产量及良率报告存在“造假”行为。据悉，近期三星电子DS部门(三星电子旗下半导体事业暨装置解决方案事业部，三星晶圆代工业务隶属于该部门)正在接受管理咨询部门就三星晶圆代工厂的5nm工艺的良率的调查，紧随其后的将是4nm和3nm。
芯片工艺的良率是指晶圆中符合质量测试标准的芯片数量的占比，它是代工厂在全面制造开始之前通过早期生产运行评估的关键参数。
一位熟悉三星电子内部情况的官员表示：“由于(晶圆代工厂)交付的数量难以满足最近的代工订单量，我们对非内存工艺的良率表示怀疑，而众所周知，基于该良率是可以满足订单交付的。”
这位官员补充说，“管理咨询部门调查了前任和现任DS部门高管对一家半导体代工厂产量的说法，咨询公司将确定这些说法是否属实”。
三星电子的管理咨询更加重视收益率错误的可能性，因此管理咨询部门将调查最先进的半导体工艺的产量投资是否得到正确执行。
而根据最新曝光的数据显示，高通已将其 4nm 骁龙8 Gen 1 的部分订单从三星转移到台积电4nm代工。而三星转单的主要原因是，该芯片组的良率仅为 35% ，这意味着在利用三星4nm代工的制造的100颗骁龙8 Gen 1芯片中，只有35颗可用。据说三星自己的 4nm Exynos 2200 芯片的良率甚至更低。
基于此，外界认为高通已决定不会将其下一代芯片交由三星3nm代工。这也意味着高通下一代 3nm 芯片的所有订单都流向了台积电。对于长期以来一直试图打破台积电在市场上的据点的三星代工来说，这是将是一个重创。
Tachyon World 首席执行官 Cho Ho-jin 表示：“三星电子将利用这次调查作为加强集团管理的机会，同时研究 DS 部门的财务状况和半导体工艺良率的合理性”。
“三星电子管理层的问题，意味着该公司处于激烈的竞争中，不确定性很高，而台积电也在努力确保4nm/3nm半导体制造工艺的良率。” 现代研究院(Hyundai Research Institute)顾问崔阳欧说：“三星电子的投资者需要密切关注此次管理咨询的结果。”
对于网上的报道，三星电子官方表示：“管理咨询是定期进行的。目前无法分享咨询的详细日程、内容或结果。”
骁龙8+gen1处理器怎么样
1、通常来说，骁龙8gen1处理器的性能比骁龙765强很多，也有更好的图形处理能力和更好的手机拍照优化。但是，骁龙8gen1的价格显然比骁龙765要高，而且它的功耗有时候也会让手机变得发热，并且较费电。2、gen1垃圾的原因是制程工艺差劲。骁龙8Gen1的制程工艺比较老旧，只有10纳米。而现在市面上的处理器已经有了7纳米、5纳米的制程工艺，这使得骁龙8Gen1在功耗和性能上都无法与新款处理器相比。3、骁龙8+Gen1对比A15性能怎么样高通骁龙8Gen1的表现差强人意，业界普遍认为是三星代工的问题。再加上三星自身4nm工艺良率低的情况下，高通终于将骁龙8+Gen1交给台积电代工，它也被给予了更高的期望。
三星处理器站起来了？Exynos 2200图形性能、GPU性能都超过苹果A14
众所周知，早几年三星Exynos系列处理器被广泛应用在各大品牌的手机中，例如Exynos1080、Exynos2100都是代表作芯片，但是三星Exynos旗舰处理器还是有一个弊端，那就是在功耗性能方面控制较差，这也让三星饱受部分消费者的质疑。总体来说，这两年Exynos芯片的竞争远不及苹果A系列以及高通，甚至已经被联发科甩在了身后。可是三星并未停止对自家顶级芯片的研发，近期曝出了一则重磅消息，三星下一代旗舰处理器Exynos2200有望在年顶登场，而且多方面已经完胜苹果A14芯片，看来这次三星是要卷土重来了吗？
韩国媒体Clien爆料了三星Exynos 2200的部分信息：三星Exynos 2200 将基于三星4nm工艺打造， 有一颗代号为“Voyager”的GPU，拥有 AMD技术的加持。 其采用AMD RDNA2图形微架构，而且三星Exynos 2200的图形处理能力已经超过了苹果A14。此外 它集成了6CU共384个流处理器，显存频率高达1.31GHz，在显卡跑分上也高于苹果A14。根据相关测试， 三星Exynos 2200的 CPU性能相比Exynos 2100提升25%，而且今年尚未发布的高通骁龙898也是同样的1+3+4的架构设计，看来这款三星旗舰新品要一举赶超下一代高通旗舰新品。
有人说与苹果MI芯片比如何呢？其实 Exynos 2200的GPU性能依然无法和苹果M1芯片相提并论， MI芯片的 1080P曼哈顿3.1跑分成绩高达270fps，而 三星Exynos 2200 平均帧率170.7 fps。MI芯片的性能是目前智能手机芯片的两倍以上，目前的手机芯片还是难以与其媲美，而且M1芯片是一款桌面级芯片，在面积和散热上都有得天独厚的优势。值得一提的是， 三星Exynos 2200将会是首批应用AMD GPU的芯片，有了该技术的支撑，相信Exynos 与A系列的差距也会逐渐缩小。
可能很多用户会问， Exynos 2200会用在哪些手机上？目前呼声最高的是三星下一代旗舰 Galaxy S22系列，但是有 消息指出，Exynos 2200目前存在功耗问题，而且比预期要高，三星一直在寻求解决办法，以达到性能和功耗之间的平衡。而且此前三星在5nm芯片上的发热控制并不是很理想，这也为产品研发留下了隐患。此外 三星很可能再次遭遇了良率问题， Galaxy S22系列可能会 弃用Exynos 2200，而且下一代旗舰平板电脑大概率也不会使用，看来三星自己也对这颗芯片不是很有信心。
总体来看， 这次Exynos2200的性能上涨幅度还是比较大的，如果能够顺利引进国内市场的话，或许也能赢得不错的口碑。毕竟此前不少国内产商都一直使用Exynos系列，也有望在图形处理上迎来技术突破，为手机影像提供支撑。虽然 过去几年发布的三星芯片，几乎每一代的性能都落后于苹果和高通，但是从今年开始，这种现象可能就要发生转变了，对比你的看法又如何呢？
三星3纳米超越台积电，国产化如何打破“骗和局”？
三星3纳米超越台积电，为降低存储器景气反转所带来的冲击，三星3 纳米制程技术的性能验证已经完善， 这就是国产化打破“骗和局”开始。
不能光看宣传，需要检验，不可以单个抽查检验，需要大批量的来检验，国产化需要走的路还很长
很多公司早就在发展GAA，因为测试效果没有比FinFET好，良率又低。因此才打破了“骗和局”。
不能只看他们的宣传，要时刻关注行业内的动态，还有就是检验的人要随机抽样检查，不能拿他们自己提供的样本。
三星展示了新的制程技术，号称3纳米领先台积电一年，而台积电一直行业中处于领先位置，三星的3纳米技术，是真的实现了？
台湾的一个专家认为三星的这个制程技术，在之前就有，甚至比三星的更佳，只是因为功效大且良品率低，就没有使用。三星的宣传有点言过其实。
实际上，三星不止一次这样做了，在6s的时候就宣传过一次，结果，购买了三星版本的6s，体验远逊于台积电版本。我们在国产化的过程中应该如何避免入坑？
第一个就是关注行业动态，对于行业中的顶尖科技，不仅仅是关注他们说的，还要看他们做的，宣传只是一个策略，实际上就是王婆卖瓜，谁家也不会说自己家的东西不好
第二个就是检验。王婆既然卖瓜，那就要看看瓜，看到外形了，是不是个大饱满，别是歪瓜裂枣。之后就要随机抽检，不要王婆拿，提供的样品肯定不错，所以，不要看。自己到王婆忽视的地方看，找个瓜，打开看看是不是好瓜。
第三个是批量检验，不能检验一批没有问题就直接放行，这样就会被坑得很惨。检验一批过一批，这样才能避免入坑。现在，很多人愿意将服务交给别人做，结果呢？以次充好的事情比比皆是。
第四个就是签订合同一定要有协约，要是出现问题，如何赔偿。大厂之间有关联，合作也是商业化的，万一出现问题，也是要按照协议走，而不是两位老总直接私聊。
国产化的过程也是一个合作交流的过程，在这个过程中必然要走一些弯路，如何将弯路走得不那么远，就要有负责精神，有不怕苦不怕累的精神，这样才能合作共赢。
三星导致高通5G芯片全部报废，对高通的损失有多大？
这对高通来说不仅仅是在芯片上的损失，同时他们的技术研发应该也会受到重创。
三星导致高通五G芯片全部报废，对沟通的损失那是相当的大，5g时代马上就要来临，却在这个时候马失前蹄
三星5G芯片全部报废对高通肯定是有很大影响的，在这个飞速发展的信息时代三星关键时刻掉链子就导致错失了先机。
三星导致高通5G芯片全部报废，对高通来说不仅是财上的损失更是技术上的损失。
对高通本身来说，自己的版权，研发能力都会落后于别人，对于自己开发出来又要耗费财力，物力，心力。
三星发生良率事故，导致高通5G芯片全部报废，对于这种的损失我们一般是不计估量与统计的。但是我觉得，这完完全全就是谣言，因为前段时间三星与高通双双否认。
有位名为“手机晶片达人”的用户在社交平台上表示，三星7nm EUV工艺出现问题，导致高通5G单晶片受到损害，未来批量量产交付会出现问题。
据悉，这款三星给高通代工生产的高通Snapdragon SDM7250 5G处理器本来计划于2020年初上市，成为高通与华为争夺5G的最大杀手锏。
过去，三星电子与高通的合作紧密。作为目前台积电在先进制程中的唯一对手，三星曾表示，将在未来10年投资1000亿美元用于制造能力。
目前在先进制程领域的竞争已经进入“寡头时代”。
从工艺看，来自先进制程(包含16nm及更先进制程)的营收占全季总营收的47%。其中，16nm制程占了23%，7nm制程占了21%。
但在近几年来，三星在先进制程工艺方面一再取得领先优势。
虽然三星电子的市场份额离台积电还有不少差距，但相比之下凭13.36亿美元和11.6亿美元位列第三、第四的格芯与联电，三星电子成为唯一能与台积电对台较劲的玩家。
他曾高调宣扬自己有好多流动客户。
其中一位客户就是华为。有消息称海思麒麟990目前正用台积电7nmPlusEUV的工艺设计，预计在2019年一季度正式流片，而一次流片就至少花费3000万美元。
但华为并没有对此作出回复。
近日高通与三星两人双双否认：此为谣言。
传三星将扩大多项目晶圆服务，制程扩大至4nm，其发展会怎么样？
三星电子计划在2023年4月、2023年8月、2023年12月提供4nm制程的多项目晶圆（MPW，Multi-ProjectWafer）服务。这是2019年三星提供5nm制程MPW服务之后的第一次。据报道，三星电子本月首次启动4纳米工艺的多项目晶圆(MPW)服务，证明了良率的稳定化成果。此外，近期三星因4至5nm制程良率提升，12寸晶圆代工率自80%提升至90%。
高通第二财季业绩超预期，营收净利双增长
高通第二财季业绩超预期，营收净利双增长
高通第二财季业绩超预期，营收净利双增长，高通该财季营收为111.64亿美元，同比增长41%，创下历史纪录，净利润为29.34亿美元，高通第二财季业绩超预期，营收净利双增长。
高通第二财季业绩超预期，营收净利双增长1 美东时间周三（27日）盘后，全球移动芯片巨头高通发布了强劲的第二财季业绩报告，其中营收和每股收益都超出了华尔街分析师此前的预期。
高通周三收涨1.2%，报135.1美元。受财报利好提振，该股在盘后交易中继续上涨逾6%。
财报显示，高通第二财季调整后营收为111.6亿美元，高于预期的106亿美元，同比增长41%；调整后每股收益为3.21美元，亦高于预期的2.91美元，同比增长69%。
具体分业务来看，其最重要的芯片业务部门QCT（Qualcomm CDMA Technologies）报告的销售额为95.5亿美元，高于分析师预期的88.6亿美元，同比增长52%；技术许可部门QTL的营收达到15.8亿美元，也略高于分析师预期的15.5亿美元，同比下降2%。
业绩指引发面，高通表示，预计第三财季每股收益将介于2.75 - 2.95美元，营收约为109亿美元。该公司的预测高于华尔街预期的99.8亿美元的营收指引。
据悉，高通的大部分收入来自智能手机处理器和调制解调器的销售，以及蜂窝网络连接技术的许可。
该公司周三发布强劲业绩之际，正值市场对2022年芯片企业的业绩持更广泛的怀疑态度，芯片企业能否继续受益于新冠疫情大流行期间的强劲需求和供应有限的有利局面。
高通向投资者强调，公司可以成为许多其他市场的芯片供应商，而且可以在主营手机芯片业务之外实现多元化。
四大市场均出现增长
高通的四个主要芯片市场在截至3月份的财季中都实现了增长。
手机市场是高通芯片最大的市场，同比增长56%，至63.3亿美元。这表明，在通胀环境下，智能手机销售可能放缓，但这家主要安卓芯片制造商尚未受到影响。其次，射频前端业务是一项专注于5G连接芯片的业务，增长28%，至11.6亿美元。
目前，汽车市场的销售额仍然很小，但该公司仍然乐观地认为，它与汽车制造商和供应商的合作将带来更多的增长。高通汽车部门销售额为3.39亿美元，同比增长41%。来自瑞典的美国汽车技术提供商Veoneer的收入不包括在截至3月份的季度内，高通最近刚完成这家公司的收购。
此外，生产低功耗和低成本芯片的.物联网业务增长61%，至17.2亿美元。
高通还表示，当季公司支付了7.64亿美元的现金股息，并回购了价值9.51亿美元的股票。
高通第二财季业绩超预期，营收净利双增长2 美国当地时间4月27日，高通发布了2022财年第二财季财报。
报告显示，高通该财季营收为111.64亿美元，同比增长41%，创下历史纪录；净利润为29.34亿美元，同比增长67%；调整后净利润为36.61亿美元，同比增长68%。高通该财季营收和调整后每股摊薄收益均超出华尔街分析师预期。
高通长期主打产品为智能手机处理器，也为苹果iPhone供应基带芯片，因此其业务表现更容易受到终端需求影响。财报显示，高通手机芯片收入增长了56%，至63.3亿美元。
市场曾有声音认为，随着中国安卓手机需求放缓，高通增长会受到威胁，但高通上季的手机芯片收入高于此前华尔街分析师预估的59.9亿美元。
为了降低对特定市场的依赖，高通施行了多元化策略，积极跨足汽车、物联网等领域，近期还加大对个人电脑市场的投入。
高通称，物联网和汽车业务在第一财季快速增长，提振了业绩。本季度高通物联网智能设备芯片收入增长了61%，至17.2亿美元。汽车芯片销售额增长41%，至3.39亿美元。
目前，宝马、通用汽车和雷诺是高通主要的汽车制造商客户，高通提供高级驾驶辅助系统（ADAS）、通信处理、数字驾驶舱、信息娱乐等相关技术。高通还为无线固网运营商提供芯片，称正与125家公司合作开发无线固网接入产品。
销售芯片和软件以外，高通还通过向外提供通信专利技术授权收取专利费，即高通技术授权（QTL）业务。本季度，高通QTL营收小幅下滑2%至15.8亿美元。
过去一年多，在全球晶圆代工产能紧缺的情况下，高通采取了优先保障5G和旗舰产品出货的策略，但主要代工方三星4纳米良率不及预期，叠加新冠疫情和欧洲局势影响，高通出货受到一定程度限制。
今年，供应链传出高通将把新款5G旗舰芯片“骁龙8 Plus”代工订单由三星转至台积电，采用台积电4纳米工艺生产，最快4月出货，预计三季度放量。不过，高通与台积电对此均不予置评。
高通首席执行官安蒙（Cristiano Amon）称，本季度业绩反映了公司在增长和多元化策略执行上的成果，以及市场对处理器技术的强劲需求。
安蒙表示，高通在三星的Galaxy S22系列手机中占有四分之三的份额，而在上一代手机中只有40%。通常，三星在Galaxy S系列手机中有近一半比例采用自研芯片。此外，高通还为小米、OPPO和荣耀等中国智能手机厂商提供集成芯片。
展望2022财年，高通预计，受益于三星Galaxy系列旗舰手机与部分中国智能手机供货商，旗下智能手机业务将增长50%以上。
强劲的获利前景和创纪录的单季营收，刺激高通股价在盘后交易一度大涨7.3%。该股周三在正常交易时段上涨1.2%到135.10美元。
高通第二财季业绩超预期，营收净利双增长3 高通发布2022年第二财季财报。数据显示高通本财季营收111.64亿美元（约合733亿元人民币），同比增长41%，创下历史纪录；净利润29.34亿美元（约合193亿元人民币），同比增长68%，营收和利润双双大涨。
高通CDMA技术集团本季度的营收达到95.48亿美元，同比增长52%。其中来自手持式设备的营收为63.25亿美元，同比增长56%；来自射频前端业务的营收为11.6亿美元，同比增长28%；来自汽车业务的营收为3.39亿美元，同比增长41%；来自物联网业务的营收为17.24亿美元，同比增长61%。
从财报上能看出，高通的业绩正处于蓬勃发展状态，特别是骁龙5G芯片产品，营收大涨56%。虽然竞争对手联发科本季度的业绩表现也同样很亮眼，但高通并没有受到太大的影响，营收创新高，利润大涨。
前几年，安卓手机中高端市场，可以看成是高通骁龙和华为海思麒麟相互竞争的战场，两者战的不可开交。而联发科虽然也有着不低的市场份额，但由于性能方面的弱势，基本只能出现在部分中低端机型身上，无缘3000元以上价位段的市场。
但是，自从华为手机业务遭到限制，海思麒麟芯片无法生产，高通骁龙瞬间失去竞争对手，并快速在中高端市场进行扩张，吞并华为腾出的市场空间。一时间，高端市场几乎是高通骁龙一家独大，近两年的业绩也处于快速增长状态。
不过，联发科刚好也在这两年快速发展起来，天玑系列5G芯片的诞生，尤其是天玑700/800系列的出现，帮助联发科迅速占领中低端5G手机市场，并扩大其市场份额。2020年下半年，联发科在全球移动手机Soc市场的份额终于赶超高通，成为世界第一。
今年，联发科再次带来天玑9000/8000系列两款产品，在高端市场与骁龙8系形成对抗。可以看出，联发科在处理器性能、市场份额等方面都已经完全追赶上高通的脚步，高通面临的竞争压力越来越大了。
全球首个3nm芯片将量产，三星造？
三星周四表示，它有望在本季度（即未来几周内）使用其 3GAE （早期 3 纳米级栅极全能）制造工艺开始大批量生产。该公告不仅标志着业界首个3nm级制造技术，也是第一个使用环栅场效应晶体管（GAAFET）的节点。
三星在财报说明中写道：“通过世界上首次大规模生产 GAA 3 纳米工艺来增强技术领先地位 。”（Exceed market growth by sustaining leadership in GAA process technology,adopt pricing strategies to ensure future investments, and raise the yield and portion of our advanced processe）
三星代工的 3GAE 工艺技术 是该公司首个使用 GAA 晶体管的工艺，三星官方将其称为多桥沟道场效应晶体管 (MBCFET)。
三星大约在三年前正式推出了其 3GAE 和 3GAP 节点。三星表示，该工艺将实现 30% 的性能提升、50% 的功耗降低以及高达 80% 的晶体管密度（包括逻辑和 SRAM 晶体管的混合）。不过，三星的性能和功耗的实际组合将如何发挥作用还有待观察。
理论上，与目前使用的 FinFET 相比，GAAFET 具有许多优势。在 GAA 晶体管中，沟道是水平的并且被栅极包围。GAA 沟道是使用外延和选择性材料去除形成的，这允许设计人员通过调整晶体管通道的宽度来精确调整它们。通过更宽的沟道获得高性能，通过更窄的沟道获得低功耗。这种精度大大降低了晶体管泄漏电流（即降低功耗）以及晶体管性能可变性（假设一切正常），这意味着更快的产品交付时间、上市时间和更高的产量。此外，根据应用材料公司最近的一份报告，GAAFET 有望将cell面积减少 20% 至 30% 。
说到应用，它最近推出的用于形成栅极氧化物叠层的高真空系统 IMS（集成材料解决方案）系统旨在解决 GAA 晶体管制造的主要挑战，即沟道之间的空间非常薄以及沉积多晶硅的必要性。在很短的时间内在沟道周围形成层栅氧化层和金属栅叠层。应用材料公司的新型 AMS 工具可以使用原子层沉积 (ALD)、热步骤和等离子体处理步骤沉积仅 1.5 埃厚的栅极氧化物。高度集成的机器还执行所有必要的计量步骤。
三星的 3GAE 是一种“早期”的 3nm 级制造技术，3GAE 将主要由三星 LSI（三星的芯片开发部门）以及可能一两个 SF 的其他 alpha 客户使用。请记住，三星的 LSI 和 SF 的其他早期客户倾向于大批量制造芯片，预计 3GAE 技术将得到相当广泛的应用，前提是这些产品的产量和性能符合预期。
过渡到全新的晶体管结构通常是一种风险，因为它涉及全新的制造工艺以及全新的工具。其他挑战是所有新节点引入并由新的电子设计自动化 (EDA) 软件解决的新布局方法、布局规划规则和布线规则。最后，芯片设计人员需要开发全新的 IP，价格昂贵。
外媒：三星3nm良率仅有20%
据外媒Phonearena报道，三星代工厂是仅次于巨头台积电的全球第二大独立代工厂。换句话说，除了制造自己设计的 Exynos 芯片外，三星还根据高通等代工厂客户的第三方公司提交的设计来制造芯片。
Snapdragon 865 应用处理器 (AP) 由台积电使用其 7nm 工艺节点构建。到了5nm Snapdragon 888 芯片组，高通回到了三星，并继续依靠韩国代工厂生产 4nm Snapdragon 8 Gen 1。这是目前为三星、小米、摩托罗拉制造的高端 Android 手机提供动力的 AP。
但在 2 月份，有报道称三星 Foundry 在其 4nm 工艺节点上的良率仅为 35%。这意味着只有 35% 的从晶圆上切割下来的芯片裸片可以通过质量控制。相比之下，台积电在生产 4nm Snapdragon 8 Gen 1 Plus 时实现了 70% 的良率。换句话说，在所有条件相同的情况下，台积电在同一时期制造的芯片数量是三星代工的两倍。
这就导致台积电最终收到高通的订单，以构建其剩余的 Snapdragon 8 Gen1 芯片组以及 Snapdragon 8 Gen 1 Plus SoC。我们还假设台积电将获得制造 3nm Snapdragon 8 Gen 2 的许可，即使高通需要向台积电支付溢价以让该芯片组的独家制造商在短时间内制造足够的芯片。
尽管三星最近表示其产量一直在提高，但《商业邮报》的一份报告称，三星 3nm 工艺节点的产量仍远低于公司的目标。虽然三星代工厂的全环栅极 (GAA) 晶体管架构首次推出其 3 纳米节点，使其在台积电（台积电将推出其 2 纳米节点的 GAA 架构）上处于领先地位，但三星代工厂在其早期 3 纳米生产中的良率一直处于10% 至 20%的范围 。
这不仅是三星需要改进的极低良率，而且比 Sammy 在 4nm Snapdragon 8 Gen 1 中所经历的上述 35% 良率还要糟糕。
Wccftech 表示，据消息人士称，三星将从明年开始向客户发货的 3nm GAA 芯片组的第一个“性能版本”实际上可能是新的内部 Exynos 芯片。据报道，三星一直在为其智能手机开发新的 Exynos 芯片系列，但现阶段尚不清楚它们是否会使用 3nm GAA 工艺节点制造。
台积电和三星很快就会有新的挑战者，因为英特尔曾表示，其目标是在 2024 年底之前接管行业的制程领导地位。它还率先获得了更先进的极紫外 (EUV) 光刻机。
第二代 EUV 机器被称为High NA 或高数值孔径。当前的 EUV 机器的 NA 为 0.33，但新机器的 NA 为 0.55。NA 越高，蚀刻在晶圆上的电路图案的分辨率就越高。这将帮助芯片设计人员和代工厂制造出新的芯片组，其中包含的晶体管数量甚至超过了当前集成电路上使用的数十亿个晶体管。
它还将阻止代工厂再次通过 EUV 机器运行晶圆以向芯片添加额外的功能。ASML 表示，第二代 EUV 机器产生的更高分辨率图案将提供更高的分辨率将使芯片特征小 1.7 倍，芯片密度增加 2.9 倍。
通过首先获得这台机器，英特尔将能够朝着从台积电和三星手中夺回制程领导地位的目标迈出一大步。
台积电3nm投产时间曝光
据台媒联合报报道，在晶圆代工三强争霸中，台积电和三星在3纳米争战，始终吸引全球半导体产业的目光。据调查，一度因开发时程延误，导致苹果新一代处理器今年仍采用5纳米加强版N4P的台积电3纳米，近期获得重大突破。台积电决定今年率先以第二版3纳米制程N3B，今年8月于今年南北两地，即新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂P5厂同步投片，正式以鳍式场效电晶体（FinFET）架构，对决三星的环绕闸极（GAA）制程。
据台积电介绍，公司的3纳米（N3）制程技术将是5纳米（N5）制程技术之后的另一个全世代制程，在N3制程技术推出时将会是业界最先进的制程技术，具备最佳的PPA及电晶体技术。相较于N5制程技术，N3制程技术的逻辑密度将增加约70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%。N3制程技术的开发进度符合预期且进展良好，未来将提供完整的平台来支援行动通讯及高效能运算应用，预期2021年将接获多个客户产品投片。此外，预计于2022下半年开始量产。
而如上所述，晶圆18厂将是台积电3nm的主要生产工厂。资料系那是，台积电南科的Fab 18是现下的扩产重心，旗下有P1 P4共4座5纳米及4奈厂，以及P5 P8共4座3纳米厂，而P1 P3的Fab 18A均处于量产状态，至于P4 P6的Fab 18B厂生产线则已建置完成，而Fab 18B厂，即3纳米制程产线，早在去年年年底就已开始进行测试芯片的下线投片。
在芯片设计企业还在为产能“明争暗斗”的时候，晶圆制造领域又是另外一番景象。对晶圆制造厂来说，眼下更重要的是3nm的突破。谁率先量产了3nm，谁就将占领未来晶圆制造产业的制高点，甚至还会影响AMD、英伟达等芯片巨头的产品路线图。
毫无疑问，在3nm这个节点，目前能一决雌雄的只有台积电和三星，但英特尔显然也在往先进制程方面发力。不过从近日的消息来看，台积电和三星两家企业在量产3nm这件事上进行的都颇为坎坷。Gartner 分析师 Samuel Wang表示，3nm 的斜坡将比之前的节点花费更长的时间。
近日，一份引用半导体行业消息来源的报告表明，据报道，台积电在其 3nm 工艺良率方面存在困难。消息来源报告的关键传言是台积电发现其 3nm FinFET 工艺很难达到令人满意的良率。但到目前为止，台积电尚未公开承认任何 N3 延迟，相反其声称“正在取得良好进展”。
众所周知，台积电3nm在晶体管方面采用鳍式场效应晶体管（FinFET）结构，FinFET运用立体的结构，增加了电路闸极的接触面积，进而让电路更加稳定，同时也达成了半导体制程持续微缩的目标。其实，FinFET晶体管走在3nm多多少少已是极限了，再向下将会遇到制程微缩而产生的电流控制漏电等物理极限问题，而台积电之所以仍选择其很大部分原因是不用变动太多的生产工具，也能有较具优势的成本结构。特别对于客户来说，既不用有太多设计变化还能降低生产成本，可以说是双赢局面。
从此前公开数据显示，与5nm芯片相比，台积电3nm芯片的逻辑密度将提高75%，效率提高15%，功耗降低30%。据悉，台积电 3nm 制程已于2021年3 月开始风险性试产并小量交货，预计将在2022年下半年开始商业化生产。
从工厂方面来看，中国台湾南科18厂四至六期是台积电3nm量产基地。客户方面，从上文可以看出，英特尔、苹果、高通等都选择了台积电。大摩分析师Charlie Chan日前发表报告称，台积电在2023年的3nm芯片代工市场上几乎是垄断性的，市场份额接近100%。
不同于台积电在良率方面的问题，三星在3nm的困难是3 纳米GAA 制程建立专利IP 数量方面落后。据南韩媒体报道，三星缺乏3 纳米GAA 制程相关专利，令三星感到不安。
三星在晶体管方面采用的是栅极环绕型 (Gate-all-around，GAA) 晶体管架构。相比台积电的FinFET晶体管，基于GAA的3nm技术成本肯定较高，但从性能表现上来看，基于GAA架构的晶体管可以提供比FinFET更好的静电特性，满足一定的珊极宽度要求，可以表现为同样工艺下，使用GAA架构可以将芯片尺寸做的更小。
平面晶体管、FinFET与GAA FET
与5nm制造工艺相比，三星的3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。三星在去年6月正式宣布3nm工艺制程技术已经成功流片。此外，三星还曾宣布将在 2022 年推出 3nm GAA 的早期版本，而其“性能版本”将在 2023 年出货。
目前，在工厂方面，此前有消息称三星可能会在美国投资170亿美元建设3nm芯片生产线。在客户方面，三星未有具体透露，但曾有消息称高通、AMD 等台积电重量级客户都有意导入三星 3nm 制程，但介于上述提到的韩媒报道高通已将其3nm AP处理器的代工订单交给台积电，三星3nm客户仍成谜。
在Pat Gelsinger于去年担任英特尔CEO之后，这家曾经在代工领域试水的IDM巨头又重新回到了这个市场。同时，他们还提出了很雄壮的野心。
在本月18日投资人会议上，英特尔CEO Pat Gelsinger再次强调，英特尔2nm制程将在2024年上半年可量产，这个量产时间早于台积电，意味2年后晶圆代工业务与台积电竞争态势会更白热化。
虽然在3nm工艺方面，英特尔没有过多的透露，但是Digitimes去年的研究报告分析了台积电、三星、Intel及IBM四家厂商在相同命名的半导体制程工艺节点上的晶体管密度问题，并对比了各家在10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的晶体管密度情况。
在工厂方面，英特尔曾强调将斥资800亿欧元在欧洲设厂，英特尔德国负责人Christin Eisenschmid受访时透露，将在欧洲生产2nm或推进更小的芯片。英特尔将2nm作为扩大欧洲生产能力的重要关键，以避免未来在先进技术竞争中落后。
总的来说，在3nm节点，台积电、三星和英特尔谁会是最后的赢家可能只有交给时间来判定，但从目前情势来看，台积电或略胜一筹。
3nm已经到了摩尔定律的物理极限，往后又该如何发展？这已经成为全球科研人员亟待寻求的解法。目前，研究人员大多试图在晶体管技术、材料方面寻求破解之法。
上述三星在3nm制程中使用的GAA晶体管就是3nm后很好的选择，GAA设计通道的四个面周围有栅极，可减少漏电压并改善对通道的控制，这是缩小工艺节点时的关键。据报道，台积电在2nm工艺上也将采用GAA晶体管。
纳米线是直径在纳米量级的纳米结构。纳米线技术的基本吸引力之一是它们表现出强大的电学特性，包括由于其有效的一维结构而产生的高电子迁移率。
最近，来自 HZDR 的研究人员宣布，他们已经通过实验证明了长期以来关于张力下纳米线的理论预测。在实验中，研究人员制造了由 GaAs 核心和砷化铟铝壳组成的纳米线。最后，结果表明，研究人员确实可以通过对纳米线施加拉伸应变来提高纳米线的电子迁移率。测量到未应变纳米线和块状 GaAs 的相对迁移率增加约为 30%。研究人员认为，他们可以在具有更大晶格失配的材料中实现更显着的增加。
最近，英特尔一项关于“堆叠叉片式晶体管（stacked forksheet transistors）”的技术专利引起了人们的注意。
英特尔表示，新的晶体管设计最终可以实现3D和垂直堆叠的CMOS架构，与目前最先进的三栅极晶体管相比，该架构允许增加晶体管的数量。在专利里，英特尔描述了纳米带晶体管和锗薄膜的使用，后者将充当电介质隔离墙，在每个垂直堆叠的晶体管层中重复，最终取决于有多少个晶体管被相互堆叠在一起。
据了解，英特尔并不是第一家引用这种制造方法的公司，比利时研究小组Imec在2019年就曾提出这个方法，根据 Imec 的第一个标准单元模拟结果，当应用于 2nm 技术节点时，与传统的纳米片方法相比，该技术可以显着提高晶体管密度。
垂直传输场效应晶体管（VTFET）由IBM和三星共同公布，旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的FinFET技术。新技术将垂直堆叠晶体管，允许电流在晶体管堆叠中上下流动，而不是目前大多数芯片上使用的将晶体管平放在硅表面上，然后电流从一侧流向另一侧。
据 IBM 和三星称，这种设计有两个优点。首先，它将允许绕过许多性能限制，将摩尔定律扩展到 1 纳米阈值之外。同时还可以影响它们之间的接触点，以提高电流并节约能源。他们表示，该设计可能会使性能翻倍，或者减少85%的能源消耗。
其实，对于3nm以后先进制程如何演进，晶体管制造只是解决方案的一部分，芯片设计也至关重要，需要片上互连、组装和封装等对器件和系统性能的影响降至最低。
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4grend2的处理器性能怎么样？
骁龙4gen2处理器是入门水平。
骁龙4Gen2处理器采用的是三星4纳米工艺，在CPU规格上仍是两个A78大核、6个A55小核的配置，但是频率提升到2.2GHz和1.95GHz，在性能上略强，安兔兔跑分是45万，属于中低端级别，主要是应用的入门级别的手机上。
在这个性能水平上，骁龙4Gen2基本上相当于骁龙695，比骁龙695性能上强一点，但比骁龙778又差上不少，而和同等的天玑810处理器性能上强一点。而在这个内存方面骁龙4Gen2支持了LPPD53200MHz，并保留对LPDDR4X的兼容。存储方面支持了双通道USF3.1规格（前代是LPDDR4和+USF2.2）。
骁龙处理器的优势
1、强大的性能
高通骁龙芯片采用了ARM Cortex-A系列架构，具有强大的多核CPU、GPU和DSP，能够提供流畅、高效的应用体验。其中，GPU采用了Adreno系列图形处理器，支持1080p高清视频播放和720p高清视频录制，提供了更加逼真、流畅的图像效果。
2、低功耗
高通骁龙芯片采用了14nm制造工艺，功耗更低，能够提供更长的电池续航时间。比如，高通骁龙710芯片采用14nm制造工艺，相比较前代骁龙660芯片，功耗降低了20%，能够提供更长的电池续航时间。在一些日常使用场景下，如浏览网页、社交、听音乐等，高通骁龙710芯片的功耗控制能力更加出色，能够提供更好的电池续航。
骁龙4gen1处理器相当于天玑多少处理器
骁龙4gen1处理器相当于天玑820处理器。
CPU性能对比，从CPU性能跑分我们可以看出骁龙4gen1单核性能比骁龙870高19%，多核性能比骁龙870高11%。
骁龙870理论上就是骁龙865，和骁龙8Gen1有着两代的差距，但是单纯从跑分结果上来看，骁龙870并没有落后骁龙4gen1太多。这可以看出高通CPU性能方面确实在挤牙膏式的升级。
部分处理器参数
1、骁龙8 Gen 1
骁龙8 Gen 1内置八核Kryo CPU，其中包括一个基于Cortex-X2的3.0GHz内核，三个基于Cortex-A710的2.5GHz高性能内核，以及四个基于Cortex-A510的1.8GHz高效内核。骁龙8 Gen 1芯片的制程工艺从骁龙888的三星5nm制程工艺升级到三星4nm制程工艺。
2、骁龙 888
骁龙 888 将采用高通2020年早些时候宣布的骁龙 X60 调制解调器 ，该调制解调器采用 5nm 工艺，以获得更好的功率效率，并改善 5G 载波聚合，跨毫米波 mmWave 和 6GHz 以下频段的频谱。支持全球多 SIM 卡，支持 SA 独立、NSA 非独立和动态频谱共享。
3、骁龙870
该芯片采用了增强的高通 Kryo 585 CPU 核心，超级内核主频已达 3.2GHz，截至2021-01-27，是 A77 公版架构下频率最高的存在。
4、骁龙865
骁龙865是8核64位处理器，采用7纳米FFP工艺制程，频率最高达2.84G赫兹，采用“高通三丛集设计”，CPU架构为Kryo 585架构。
