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ddr2和ddr3的区别,ddr2和ddr3的差别是什么？

admin admin 发表于2023-12-21 13:40:19 浏览14 评论0

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本文目录一览：

ddr2和ddr3的区别

速度，带宽，电压，插槽不同。1、速度：DDR3比DDR2有更高的频率和更快的数据传输速度。DDR3内存的频率通常从800MHz开始，而DDR2内存的频率则从400MHz开始。这意味着DDR3内存可以在同样频率下比DDR2内存传输更多的数据。2、带宽：由于DDR3具有更高的频率和更高的数据传输速度，它提供了更大的带宽。这意味着在相同的工作频率下，DDR3内存可以同时处理更多的数据。3、电压：DDR3内存比DDR2内存工作时的电压更低。DDR2内存通常使用1.8伏特的电压，而DDR3内存通常使用1.5伏特的电压。这种降低的电压有助于降低功耗和热量产生。4、插槽：DDR2和DDR3内存模块的插槽是不兼容的，它们具有不同的物理接口。无法将DDR3内存模块插入DDR2插槽中，反之亦然。

ddr2和ddr3的区别在哪里？

1、工作电压不同
DDR3电压为1.5V，DDR3L电压为1.35V。
2、兼容性不同
DDR3和DDR3L在大多数情况下是兼容的，但它们与Haswell平台上的IntelHaswl处理器不完全兼容，为了更好地降低功耗，intelhaswl只支持ddr3l内存类型，但不支持ddr3。
3、优点不同
DDR3内存使用1.5V工作电压，而DDR3L内存使用1.35V工作电压，ddr3l低电压存储器的能量效率比ddr3标准电压存储器高2w。
4、性能不同
DDR3标准内存索引DDR3L低压内存，性能约为10-15%。
5、价格差
DDR3L低压存储指示灯DDR3标准压力存储器便宜一点
扩展资料：
存储器是计算机中最重要的组成部分之一，是与cpu通信的桥梁，计算机中的所有程序都在内存中运行，因此内存的性能对计算机有很大的影响，存储器又称为存储器存储器，用于将操作数据暂时存储在cpu中，并与硬盘等外部存储器交换数据。
只要计算机正在运行，CPU就会将数据传输到内存中进行操作，当操作完成时，CPU将传送结果，存储器的操作也决定了计算机的稳定运行，存储器由存储器芯片、电路板、金手指等部分组成。
内存的主频与CPU的主频相同，它用来表示存储器的速度，它代表存储器的最高工作频率，存储器的主频以兆赫为单位，内存的主频越高，在某种程度上，内存可以实现得越快，存储器的主频决定了存储器能够正常工作的最高频率。
目前较为主流的内存频率是1600MHz和2400MHz的DDR内存，667MHz、800MHz和1066MHz的DDR2内存，1066MHz、1333MHz、1600MHz的DDR3内存，2133MHz、2400MHz、2666MHz、2800MHz、3000MHz、3200MHz的DDR4内存。
参考资料来源：
百度百科-DDR3

ddr2和ddr3的区别

1、逻辑Bank数量不同
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。
而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、频率不同
DDR3频率高、延迟长，一般情况DDR3性能强于DDR2。
3、预取位宽不同
DDR2预取位宽是4位；DDR3预取位宽是8位。
4、传输数据速率不同
DDR2传输数据速率是400 - 800 Mbps；DDR3传输数据速率是800 - 1600 Mbps。
5、封装不同
由于DDR3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。

内存条DDR2和DDR3的区别是什么？

DDR2和DDR3的内存条一般不能同时使用在同一个电脑上，会出现不兼容的情况。主板DDR2是指主板支持DDR2的内存条。DDR2和3，物理接口上就不一样，不能混插。二者是两代产品，主要是性能上的区别，DDR3带宽更高，速度更快。DDR，目前分为4代，DDR4还没有普及，市场上大量的是前三代的产品。目前主流是DDR3。DDR2是第二代内存，电压8V，速度一般都是667或800。DDR3是目前最普遍的内存，电压5V，速度很快，容量也很大，单条最大可达到8GB，频率从1066-2400mhz不等。所以可以看到，如DDR400DDR2800DDR31600内存工作频率没有区别，只是由于传输数据位宽倍增，导致带宽的增加。而内存的真正工作频率决定于延迟，DDR400与DDR2800真实工作频率相同，后者带宽是前者一倍，延迟上一样。升级换代的区别DDR2是内存条二代，DDR3是内存条三代数据传输位宽的区别DDR2数据传输位宽由DDR的2bit变为4bit，DDR3继续提升数据传输位宽变为8bit，为DDR2两倍，电压的区别DDR2电压高些，就是耗电些。内存卡DDR1，DDR2，DDR3，DDR4区别为：功能不同、传输速率不同、电压频率不同。功能不同DDR1：DDR1在单一周期内可读取或写入2次。
中国星坤的DDR2和DDR3是两种不同的内存条标准。
首先，它们在数据传输速率上有所不同。DDR2的数据传输速率通常为800MHz至1600MHz，而DDR3的数据传输速率则从800MHz开始，并可以高达3200MHz以上。因此，DDR3内存具有更快的速度，可以更有效地处理大量数据。
其次，它们在电压方面也有所不同。DDR2内存通常需要使用1.8V的电压，而DDR3内存则采用更低的电压，通常为1.5V。这使得DDR3内存在功耗上更加高效，同时也有助于减少发热问题。
另外，DDR3内存还具有更高的带宽和更大的内存容量支持。DDR2内存的带宽通常为6.4GB/s至12.8GB/s，而DDR3内存的带宽则从12.8GB/s开始，并可以高达25.6GB/s以上。此外，DDR3内存可以支持更大的内存容量，最高可达128GB，而DDR2内存通常最高只能支持到8GB或16GB。
总的来说，DDR3内存相对于DDR2内存在速度、功耗和容量等方面有明显的优势。然而，由于两者的接口不兼容，所以无法互相兼容使用，需要根据实际需求选择相应的内存条标准。

DDR3内存和DDR2内存有什么区别？

DDR2和DDR3的插槽是不一样的，DDR3比DDR2频率高，速度快，容量大，性能高。
既支持DDR2内存卡还支持DDR3内存卡的主板，其中2个是DDR2内存卡的插槽，另外2个是DDR3内存卡的插槽，但是不能同时使用2种类型的，只能选择1种。
DDR3 SDRAM（Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory），是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品，提供相较于DDR2 SDRAM更高的运行性能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍数据率同步动态随机存取存储器）的后继者（增加至八倍）。
DDR2内存卡与DDR3内存卡的区别如下：
1、防呆缺口不一样：
DDR2内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚。
DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。
2、读取数据的速度不一样：
DDR2内存卡预读取能力为4bit数据读预取。
DDR3内存卡预读取能力为16bit数据读预取。
3、使用电压不同：
DDR2内存卡的使用电压为1.8V。
DDR3内存卡的使用电压为1.5V。
参考资料：百度百科-DDR3内存
参考资料：百度百科-DDR2内存

内存条DDR2和DDR3的区别是什么？

DDR2与DDR3内存的区别在于，DDR2内存技术更为成熟，成本较低，但性能与DDR3相比较低；DDR3内存技术更先进，性能更高，但价格相对较高。
首先，DDR2和DDR3的工作电压是不同的。DDR2内存的工作电压通常为1.8V或2.5V，而DDR3内存的工作电压则为1.5V。这意味着DDR3内存比DDR2内存更加节能，同时也需要更少的电源功率。这也是DDR3内存能够更好地适应现代电子设备对节能和环保的需求。
其次，DDR2和DDR3的预取机制也存在差异。DDR2的预取机制为4bit或8bit，而DDR3则为8bit或16bit。这意味着DDR3内存在读取数据时，每次可以预取更多的数据，从而提高了内存的带宽和效率。举个例子，当内存控制器请求数据时，DDR3内存可以在一个时钟周期内传输16个字节的数据，而DDR2内存则只能传输8个字节的数据。因此，在处理大量数据时，DDR3内存的性能表现要比DDR2内存更加出色。
此外，DDR3内存在数据传输速度上也优于DDR2内存。由于DDR3采用了更为先进的同步电路设计，使得其可以更高的速度传输数据。例如，DDR3-1333的内存数据传输速度就达到了1333MT/s，而DDR2-800的内存数据传输速度只有800MT/s。这意味着在同样的时间内，DDR3内存可以传输更多的数据，从而提高了系统的整体性能。
最后，虽然DDR2和DDR3内存在一些区别，但是它们也有一些共同点。例如，它们都采用了双倍数据速率技术，可以在一个时钟周期内传输两次数据。此外，它们都支持ECC（错误检查和纠正）功能，可以有效地检测和纠正内存中的错误数据。
综上所述，DDR2和DDR3内存在工作电压、预取机制、数据传输速度等方面存在一些差异。但是无论是DDR2还是DDR3内存在现代计算机中都扮演着重要的角色，对于提升计算机的性能和效率都有着不可忽视的作用。

DDR,DDR2和DDR3有什么区别？

1、DDR2和DDR3的内存条一般不能同时使用在同一个电脑上，会出现不兼容的情况。主板DDR2是指主板支持DDR2的内存条。2、ddr2和ddr3的区别逻辑Bank数量不同：DDR2SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。3、DDR2是第二代内存，电压8V，速度一般都是667或800。DDR3是目前最普遍的内存，电压5V，速度很快，容量也很大，单条最大可达到8GB，频率从1066-2400mhz不等。

DDR和DDR2，DDR3，区别在那里

中国星坤的DDR（双倍数据率）和DDR2（双倍数据率2）及DDR3（双倍数据率3）是随着计算机发展出现的不同类型的内存技术。
它们之间的主要区别在于以下几个方面：
1. 频率：DDR2和DDR3的频率相对较高，比DDR的频率更快。DDR的频率通常在200-400 MHz之间，而DDR2和DDR3的频率可以达到1 GHz以上。
2. 电压：DDR2和DDR3相对于DDR，要求较低的操作电压。DDR的操作电压约为2.5伏特，而DDR2是1.8伏特，DDR3是1.5伏特。低电压可以减少功耗和散热，有利于提高计算机的稳定性和性能。
3. 插槽：DDR2和DDR3使用不同的插槽类型。DDR采用184引脚的DIMM插槽，而DDR2和DDR3则采用240引脚的DIMM插槽。这意味着它们的物理接口是不兼容的，无法互相插拔。
4. 带宽：DDR2和DDR3具有更高的带宽，可以同时传输更多的数据。DDR2的带宽相对DDR提高了一倍，DDR3相对DDR2又提高了一倍。这使得DDR2和DDR3在处理大量数据时更快速和高效。
5. 容量：随着技术的进步，DDR、DDR2和DDR3的最大支持内存容量也逐渐增加。DDR最大支持的内存容量通常为1GB，而DDR2和DDR3可以支持更大的容量，达到数GB甚至GB级别。
总的来说，DDR2和DDR3相对于DDR有更高的频率、更低的电压、更大的容量和更高的带宽，因此在性能上更为出色。然而，由于物理接口不兼容，不同类型的内存不能混用。选购内存时要根据自己的需求和主板规格来选择合适的型号。
DDR：
DDR采用一个周期来回传递一次数据，因此传输在同时间加倍，因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观，以等效的方式命名，因此命名为DDR 200 266 333 400。
DDR2：
DDR2尽管工作频率没有变化，数据传输位宽由DDR的2bit变为4bit，那么同时间传递数据是DDR的两倍，因此也用等效频率命名，分别为DDR2 400 533 667 800。
DDR3：
DDR3内存也没有增加工作频率，继续提升数据传输位宽变为8bit，为DDR2两倍，因此也在同样工作频率下达到更高带宽，因此用等效方式命名DDR3 800 1066 1333 1600。
所以可以看到，如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600内存工作频率没有区别，只是由于传输数据位宽倍增，导致带宽的增加。
而内存的真正工作频率决定于延迟，DDR400与DDR2 800真实工作频率相同，后者带宽是前者一倍，延迟上一样。如果是DDR400与DDR2 667，那后者虽然带宽更大，不过其真实频率反而低一些，延迟上略大。
DDR2与DDR的区别：
1、速率与预取量
DDR2的实际工作频率是DDR的两倍，DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4bit预期能力。
2、封装与电压
DDR封装为TSOPII，DDR2封装为FBGA；
DDR的标准电压为2.5V，DDR2的标准电压为1.8V。
3、bit pre-fetch
DDR为2bit pre-fetch，DDR2为4bit pre-fetch。
4、新技术的引进
DDR2引入了OCD、ODT和POST
（1）ODT：ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射；
（2）Post CAS：它是为了提高DDR2内存的利用效率而设定的；
在没有前置CAS功能时，对其他L-Bank的寻址操作可能会因当前行的CAS命令占用地址线而延后，并使数据I/O总线出现空闲，当使用前置CAS后，消除了命令冲突并使数据I/O总线的利率提高。
（3）OCD（Off-Chip Driver）：离线驱动调整，DDR2通过OCD可以提高信号的完整性 OCD的作用在于调整DQS与DQ之间的同步，以确保信号的完整与可靠性，OCD的主要用意在于调整I/O接口端的电压，来补偿上拉与下拉电阻值，目的是让DQS与DQ数据信号间的偏差降低到最小。
调校期间，分别测试DQS高电平和DQ高电平，与DQS低电平和DQ高电平时的同步情况，如果不满足要求，则通过设定突发长度的地址线来传送上拉/下拉电阻等级，直到测试合格才退出OCD操作。
DDR3与DDR2的区别：
1、DDR2为1.8V，DDR3为1.5V；
2、DDR3采用CSP和FBGA封装，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格；
3、逻辑Bank数量，DDR2有4Bank和8Bank，而DDR3的起始Bank8个；
4、突发长度，由于DDR3的预期为8bit,所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定位8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的；
DDR3为此增加了一个4-bitBurst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A112位地址线来控制这一突发模式；
5、寻址时序（Timing），DDR2的AL为0~4，DDR3为0、CL-1和CL-2，另外DDR3还增加了一个时序参数——写入延迟（CWD）；
6、bit pre-fetch：DDR2为4bit pre-fetch,DDR3为8bit pre-fetch；
7、新增功能，ZQ是一个新增的引脚，在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻，新增裸露SRT（Self-Reflash Temperature）可编程化温度控制存储器时钟频率功能。
新增PASR（PartialArray Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以说针对整个存储器Bank做更有效的数据读写以达到省电功效；
8、DDR3的参考电压分成两个，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效低提高系统数据总线的信噪等级；
9、点对点连接（point-to-point,p2p），这是为了提高系统性能而进行的重要改动。

ddr2和ddr3的差别是什么？

DDR2（Double Data Rate 2）和DDR3（Double Data Rate 3）是计算机内存标准，它们之间有以下几个主要差别：
速度：DDR3比DDR2更快。DDR2的数据传输速率通常在400 MHz至1066 MHz之间，而DDR3的数据传输速率则从800 MHz开始，最高可达到3200 MHz。因此，DDR3内存具有更高的带宽，能够更快地处理数据。
电压：DDR3内存的工作电压比DDR2低。DDR2内存通常工作在1.8伏特的电压下，而DDR3内存则可以以1.5伏特的电压运行。这种降低的电压有助于减少功耗和热量产生。
容量：DDR3内存支持更大的容量。DDR2内存在推出初期，最大容量为1 GB，后来逐渐增加到2 GB。而DDR3内存从推出时就支持2 GB容量，并逐步增加到16 GB或更高。
性能：DDR3内存相对于DDR2具有更好的处理性能。它使用了一些新技术和改进，例如预取、写级联和更高的频率，这些都有助于提高内存的读写速度和响应时间。
兼容性：DDR3内存和DDR2内存不兼容。这意味着DDR3内存无法在DDR2内存插槽上使用，反之亦然。它们具有不同的物理接口和引脚布局。
总体而言，DDR3内存相对于DDR2内存来说是一种更先进、更高性能的技术。它具有更快的速度、更低的电压、更大的容量，并且在处理性能上更出色。然而，选择DDR2还是DDR3内存应取决于您的计算机硬件和需求，以确保兼容性和最佳性能。
DDR2和DDR在金手指上都有一个缺口``位置大概在中间
DDR与DDRII的区别（内存小常识）
随着处理器持续高度发展的时脉，前端总线的频宽愈来愈大，计算机使用者对内存频宽及效能的需求也与日俱增，DDR已逐渐无法满足今日及未来的需求。高速DDRII内存拥有更高的效能、速度及耗电等特性，正可满足新一代PCI-Express规格对于高速传输的要求，提升周边接口及设备如显卡WiFi模块子卡及SATA硬盘等整体系统的性能，将彻底改变计算机系统的构架。因此，正如之前DDRSDRAM取代SDR SDRAM，具有崭新规格及强大功能的DDRII SDRAM取代现有的DDR SDRAM也将势在必行，从去年第三季度DDRII在国内市场上市直到今天，虽然从DDR转变到DDRII的过程比预计的要慢，但是从目前市场上DDR与DDRII的差价不足20％甚至一些品牌已经持平的情况来看，DDRII已经苦尽甘来需求将会大幅度增长。
目前，众多内存厂家均纷纷推出DDRII产品，抢占这个市场，随着下半年DDRII需求和产能的增长，DDRII的价格大战将会不可避免的开始，同时，在价格越来越趋于稳定后，用户以及各主板、芯片厂商对DDRII将会有更严苛的要求，我们先来看看DDRII内存的一些技术趋势。
从技术看DDRII的走向
第一，封装技术及环保要求。FBGA封装是DDRⅡ的官方选择，FBGA属于BGA体系（Ball Grid Array，球栅阵列封装），它的引脚位于芯片底部、以球状触点的方式引出，而不是和TSOPⅡ那样从芯片周围引出。由于芯片底部的空间较为宽大，理论上说可以在保证引脚间距较大的前提下容纳更多的引脚，可满足更密集的信号I/O需要，这对DDRⅡ而言是必须的。此外，FBGA封装还拥有芯片安装容易、电气性能更好、信号传输延迟低、允许高频运作、散热性卓越等许多优点，目前上市的各款DDRII内存多以FBGA封装为主。不过包括FBGA、Micro SMD、PBGA 等阵列插入式封装一向以铅作为焊球的焊料。而今年包括欧盟WEEE废电机电子指令、日本NEDO组织及美国NEMI协会以及相继提出限制电机电子产品制造污染规划发出RoHS指令无铅化指令，要求电子产品全面禁用包括铅、镉、汞、六价铬、溴化耐燃剂等六种物质；美国国家半导体公司同时宣布2006年6月之前为全线芯片产品提供不含铅的封装，以满足国际电子工业产品的环保要求，在国际通行环保标准下，全球各大内存厂商必须要改进内存制造中封装焊料、PCB板等用料以达到这一环保标准，预计无污染化内存的环保改进将会2006上半年完成。目前已经有一些厂商走在前面，提前达到国际认可的“绿色产品”环保标准。如台湾威刚科技今年3月通过了ISO14001环境管理系统验证，FBGA封装焊球的焊料改为锡银合金，同时采用无铅PCB、无铅电阻电容等，实现完全无污染的环保电子产品。环保的“绿色电子产品”将是今后内存产品的必然趋势。
第二，更强的兼容性与稳定性。内存产品的兼容性与稳定性一直也是衡量内存性能、品质的重要标准。作为力推DDRII的Intel，在产品规范转型期间，对其新产品的兼容程度的要求非常严格，因此，能够通过Intel的产品系统认证，对于像DDRII这样正处于推广期的全新产品，有着非常重要的意义。目前，宣布量产DDRII的内存厂商，其产品均已通过了Intel的“Intel DDR2 System level validation”认证。在DDRII生产线上，各大内存厂商都有一套从封装到测试的完整先进设备，通过严格规范的测试到封装流程保证内存兼容性、稳定性的可靠。原厂采购晶元后，从晶元的切割——测试——封装——成品测试均由自有的封装工厂独立完成。同时，威刚等内存大厂与各大主板厂保持着非常密切的合作联系：在内存初始设计阶段，就与各大主板厂商进行很好的合作，共同测试并验证其内存产品；所有内存产品出厂前均已100%通过严格完整的实机测试及各大主机板厂的稳定度、兼容性验证测试。因此，在售后服务上，这些大厂敢于对其所有内存产品实行终身保固的品质保证。今后的DDRII产品从自身特性到制造流程的规范都会比之DDR都会有更大的提升。
在DDRII时代到来之际，技术是各大内存厂商继续发展的一把利器，谁率先拥有所需的一切技术，谁就能在DDRII浪潮中赢得先机！
市场决定DDRII时代到来虽然今年上半年DDRII内存市场份额只比去年上涨了11％，但是DDRII的继续上升的空间仍然很大，内存厂商也已经做好了转产的准备，本月三星宣布量产DDRII667即是一个明显的信号，目前Intel 915及945系列芯片组支持的DDRII 533是主流标准，DDRII667如果大量上市的话，同时也将会促使主板新芯片组的及处理器的提前上市，并将DDRII533放逐至低端市场。而事实上，除三星以外的很多内存大厂早已经做好了DDRII667的准备，不管是放手一搏还是有先见之明，DDRII667转产、量产已经是箭在弦上不得不发，台湾威刚科技甚至已经宣布DDRII800的量产并发布了最新的DDRI1066。DDRII规格的不断提升也预示着DDR正在加速退出历史的舞台。即使之前传出的AMD将不支持DDRII而直接跳到DDRIII规格，对DDRII成为正统来说也是势不可挡。更何况不管是Intel还是AMD，都不可能完全左右内存规范。在DDRII还是DDRIII这个关键问题上，起主导作用的还是内存颗粒生产厂商。DDRIII在同期成本方面和性能上确实优于DDRII，但让内存厂商又怎么会放弃已经经营若干年的DDRII，内存厂商不可能在没有收回成本的基础上，草草结束DDRII，而奔向海市蜃楼般的DDRIII。还是让DDRIII规格先在显卡这块试验田上接受一下检验吧。
再看看DDR，现阶段的DDR已经将规格拉高到了威刚推出的DDR600，为了因应外频提升到300MHz以及内存同步的规格，但是再往上性能上并未带来多大的提升且内存厂商想要推出更高阶版本的DDR,高成本恐怕是难以突破的瓶颈，面对内存颗粒大厂逐步的将DDR转进DDR II的同时，DDR的未来恐怕也会走上先前SDRAM的下场到最低端市场或二手市场去发挥余热，之后的趋势恐怕得由DDR II来担任了。
DDRII价格走势
经过一段短期的震动，目前的内存市场价格平稳，DDRII的价格与DDR已经相差不到20％，一些 256M DDRII已经与DDR400持平，短期内应该不会再有大的跌涨。不过到了9月学生返校的季节，随着需求的加大以及晶元订单的回涌，内存价格将会上涨，也许会一直持续到年末。DDRII 533的价格会随着市场小幅上涨和震动，而高端的DDRII 667会有较大下跌，总体仍会呈下降的趋势，明年第一季度将是DDRII成功挤下DDR成为市场主流的到来。
出自:

电脑上怎么区分三代二代内存

???方法一：看外观。
由上图可以不难看出，它们之间有明显的特点，即断口。它们的断口处是绝对不一样的。并且，DDR的内存条所使用的内存颗粒是长方形，有引脚的;而DDR2与DDR3内存颗粒是贴片的。
　方法二：看频率。
一般情况，内存条上面的标签除了有内存条的制造厂商，还会有内存条型号及频率和工作电压等信息。比如一个内存条上的标签为：Kington KVR ?1333D3N9/4G-SP 1.5V。由此可以看出此内存条是：金士顿4G，频率是DDR3 1333HZ的。
所以，看内存上面贴的标签。标签上有写，最简单的方法是看内存标签上面的频率。
DDR的内存是266,333,400的频率。
DDR2的内存是533,667,800的频率。
DDR3的内存是1066,1333,1600的频率。
　方法三：看内存条的工作电压。
看内存条上面的标签。如上图，即可看出上图金士顿4G内存条的工作电压为1.5V。所以，DDR内存的工作电压是2.5v，DDR2的工作电压是1.8v，DDR3的工作内存电压是1.5v。