×

台积电3纳米芯片,联发科3纳米芯片预计2024年量产

admin admin 发表于2023-12-14 07:08:09 浏览9 评论0

抢沙发发表评论

本文目录一览：

台积电第二代3nm工艺到来，N3E芯片已流片，你怎么看？

台积电的第二代3nm工艺，代号为N3E，已经成功流片，并且得到了业界的关注。据报道，Alphawave公司已经流片了业界首批使用台积电N3E制造技术（第二代3纳米级工艺节点）的芯片之一。这款芯片是AlphawaveIPZeusCORE1001-112GbpsNRZ/PAM4串行器-解串器（SerDes），支持未来几年将流行的众多标准，包括800G以太网、OIF112G-CEI、PCIe6.0和CXL3.0。对于台积电的第二代3nm工艺，我们可以从以下几个方面进行分析：首先，台积电的3nm工艺技术的开发进度较计划提前，预计将在2023年下半年量产。这无疑将进一步提升台积电在全球半导体市场的竞争力。其次，台积电的3nm工艺技术预计将带来更高的性能和更低的能耗。这对于智能手机等移动设备来说，无疑是一个重要的优势。然而，台积电的3nm工艺技术是否能够在市场上取得成功，还需要看其在实际产品中的应用效果。目前，关于N3E芯片的性能表现，业界还存在一些不同的看法。

台积电3nm工艺进展如何了？

3nm芯片手机目前只有一款，iPhone15，将于9月13日晚上发布。
按照媒体的说法，苹果的iPhone15将于9月13日晚上发布。而这次的iPhone将搭载全球首款3nm的手机Soc芯片A17，而这也是台积电首颗量产的3nm芯片，更是全球首颗量产的3nm手机芯片。
在苹果之后，高通公司也将会切入到3nm工艺，2024年登场的高通骁龙8Gen4将会使用台积电3nm制程。值得注意的是，苹果A17芯片使用的是台积电第一代3nm工艺N3B，高通公司的骁龙8Gen4将会采用台积电第二代3nm工艺N3E。
据悉，台积电规划了多达五种3nm工艺，分别是N3B、N3E、N3P、N3S和N3X，其中N3B是其首个3nm节点，已经量产。N3E是N3B的增强版，但从台积电已经披露的技术资料来看，栅极间距并不如N3B。
不仅如此，第一代3nm N3B成本高、良率低，只有70%-80%之间，这意味着芯片制造过程中有至少20%的产品存在缺陷，而N3E良率高、成本低，性能会略低于N3B。
除了采用3nm工艺，高通骁龙8Gen4将会启用自研的Nuvia架构，届时高通将用2个Nuvia Phoenix性能核心和6个Nuvia Phoenix M核心的全新双集群八核心CPU架构方案，这将是高通骁龙5G Soc史上的一次重大变化。
芯片的制造过程
1、设计阶段
首先，设计师们会根据市场需求和技术发展趋势等因素确定芯片的性能指标，并基于此设计出具体方案。这个阶段还包括原型验证、仿真测试等环节，以确保方案可行并达到预期效果。
2、掩膜制造
在完成设计后，需要将电路图转化为掩膜（Mask），即用光刻机在硅片上形成微米级别的线路图案。这一步通常由专门的半导体厂商完成。
3、晶圆生产
然后，在掩膜制作完毕后，就可以开始晶圆生产了。晶圆是一个直径约12英寸（30厘米）的硅盘子，在其中通过高温热化学气相沉积法（CVD）或物理气相沉积法（PVD）等方法逐层堆叠材料，并利用光刻机按照掩膜上所示图形进行加工。
4、切割与打孔
接下来是切割与打孔环节。在这一步中，晶圆被分割成数百甚至数千块小芯片，并且每个小芯片都会被钻孔以便连接外部元件。
5、清洁与检验
随后进行清洁与检验环节。在该流程中使用特殊设备对每个小芯片进行精密清洁和质量检查以确保没有任何缺陷或污染物存在于表面上。
6、封装
最后一个主要步骤是封装，即把已经减少大小并且有了电极连接点（焊盘）的IC贴到塑料/金属壳内，并添加散热系统及其他必要元件如滤波器、调谐器等。
7、测试阶段
最终产品进入测试阶段，通过自动化测试设备对新制造出来的手机芯片进行全面而详细地测试，确认其符合规格说明书中列明的所有参数。

台积电芯片多少纳米

台积电芯片是3纳米。
晶圆代工龙头台积电2022年12月29日在台南科学园区Fab18厂新建工程基地举行3纳米（nm）量产暨扩厂典礼，正式宣布3nm芯片即开始量产。
台积电拥有四座12寸超大晶圆厂、4座8寸晶圆厂、一座六寸晶圆厂和四座后段封测厂。同时，台积电全资子公司在南京有一座制造16/12nm芯片的12吋晶圆厂，一座上海8寸晶圆厂以及通过美国子公司WaferTech L.L.C在华盛顿州卡马斯市的一座8寸晶圆厂Fab11。
其中，台南科技园区晶圆18厂是台积电5nm及3nm生产重要基地，Fab18厂5期至9期厂房是3纳米生产基地，预估将创造1.13万个直接工作机会，超过2.35万个间接工作机会。
台积电企业信息介绍
台湾积体电路制造股份有限公司，中文简称：台积电，英文简称：tsmc，属于半导体制造公司。成立于1987年，是全球第一家专业积体电路制造服务（晶圆代工foundry）企业，总部与主要工厂位于中国台湾省的新竹科学园区。
2017年，领域占有率56%。2018年一季度，合并营收同比增长6%，净利润同比增长2.5%，毛利率为50.3%，净利率为36.2%，其中10纳米晶圆出货量占据了总晶圆营收的19%。
2018年8月3日晚，台积电传出电脑系统遭到电脑病毒攻击，造成竹科晶圆12厂、中科晶圆15厂、南科晶圆14厂等主要厂区的机台停线等消息。台积电证实，系遭到病毒攻击，但并非外传遭黑客攻击。
以上内容参考百度百科-台湾积体电路制造股份有限公司

全球首颗3nm芯片诞生!拦不住了？

中国广东利扬芯片公司宣布成功调试出全球首颗3纳米芯片的测试方案，引起了全球的关注。这一突破意味着中国芯片制造技术的巨大进步，将对全球半导体行业产生重大影响。
纳米尺寸在芯片制造中是一个关键的指标，它反映了处理器微影技术的尺寸。较小的纳米尺寸意味着在有限的芯片空间上可以容纳更多的电晶体，从而提高芯片的计算能力和性能。
目前，台积电和三星是少数能够制造3纳米芯片的公司。制造精度高达3纳米的芯片是一项极具挑战性的任务，需要先进的光刻机和其他材料和技术的应用。
芯片设计是制造过程中的第一个关键环节。一些半导体企业仅仅在芯片设计阶段展开工作，例如苹果、高通等公司，他们使用设计软件来构建新型芯片的想法。其他企业则会购买已成型的芯片产品。
芯片制造是另一个关键环节，需要使用高端光刻机和其他先进技术。台积电和三星以其卓越的芯片代工技术在这一领域展现了非凡实力。
中国芯片产业要想突破制造环节，就必须掌握关键的技术。芯片封装和测试是将芯片投入产品中的最后一步，也是决定芯片性能、可靠性和稳定性的关键环节。
广东利扬芯片公司的发展历程：
广东利扬芯片公司成立于2010年，最初专注于集成电路的测试、封装、技术开发和进出口等领域。随着芯片产业的兴起，公司逐渐将焦点转向了芯片封装和测试。
利扬公司通过不断加大投入和技术研发，在芯片封装领域取得了显著成就。目前，利扬已经成功研发出44个大类的芯片测试解决方案，并完成了4300种芯片型号的批量测试。
中国在芯片领域的巨大突破预示着其在自主研发道路上向前迈出了坚实的一步。然而，要实现全面的自主创新，中国芯片产业仍然面临一些挑战。
首先，需要加大在关键技术领域的投资和研发力度，掌握核心技术和制造能力。其次，要加强与国际合作，借鉴国外先进经验，推动芯片产业链的升级。最后，要完善相关政策和法规，为芯片企业提供更好的发展环境和政策支持。
以上内容参考：百度百科-广东利扬芯片测试股份有限公司

a17pro是几纳米

a17pro是3纳米。
A17 Pro芯片是2023年9月13日苹果公司于2023苹果秋季新品发布会发布的手机芯片，芯片采用3纳米工艺技术。同时A17 Pro芯片配备了新的GPU，支持USB3.0，且配备了一个AV1解码器。A17 Pro采用苹果设计的着色器架构，采用6核设计，峰值性能提升高达20%。
苹果A17芯片采用了台积电最新的工艺制造，相比4纳米工艺，3纳米可以在性能和功耗方面实现更好的平衡。据估计，3纳米工艺可以使性能提升10%到15%，同时降低功耗30%。这意味着iPhone 15 Pro系列不仅可以运行更流畅，而且可以拥有更长的续航时间。对于苹果这枚全新芯片的性能表现，外界早已赋予了极大的期待。
苹果芯片排行榜
第一名：A16
1、工艺：相比前代升级到了台积电4nm制程工艺，核心架构是完全相同的。
2、核心：23.46Ghz性能核+42.02Ghz能效核，相比于a15只提升了0.23Ghz性能核频率。
3、体验：与a15性能相比差距不大，可以理解为a15的超频版本，因此整体使用体验区别也不大。
第二名：A15
1、工艺：延续了前代的5nm制程工艺，采用6核6线程的架构。
2、核心：使用2+4的核心设计，包含2个2.32Ghz性能核+4个2.0Ghz能效核。
3、体验：每秒算力相比a14提升了35%，性能体验提升20%，整体性能更是超越了笔记本的m1芯片。
第三名：A14
1、工艺：从7nm升级到5nm，在性能和功耗上都有了巨大的升级。
2、核心：延续了6核心架构（2+4），拥有2个高性能核心和4个低功耗核心，外加4核gpu。
3、体验：相较a13运算速度提升20%，功耗降低40%，gpu提升15%，在游戏和日常使用方面都有更好体验。

全球首款3nm芯片，正式发布

美国芯片公司Marvell表示，公司基于台积电3纳米（3nm）工艺打造的数据中心芯片正式发布。据Marvell介绍，公司在该节点中的业界首创硅构建模块包括112G XSR SerDes（串行器/解串行器）、Long Reach SerDes、PCIe Gen6/ CXL3.0SerDes和240Tbps并行芯片到芯片互连。
按照Marvell所说，SerDes和并行互连在芯片中充当高速通道，用于在chiplet内部的芯片或硅组件之间交换数据。与2.5D和3D封装一起，这些技术将消除系统级瓶颈，以推进最复杂的半导体设计。SerDes还有助于减少引脚、走线和电路板空间，从而降低成本。超大规模数据中心的机架可能包含数以万计的SerDes链路。
根据他们提供的数据，新的并行芯片到芯片互连可实现高达240Tbps的聚合数据传输，比多芯片封装应用的可用替代方案快45%。换句话说，互连传输速率相当于每秒下载10000部高清电影，尽管距离只有几毫米或更短。
Marvell将其SerDes和互连技术整合到其旗舰硅解决方案中，包括Teralynx开关，PAM4和相干DSP，Alaska以太网物理层（PHY）设备，OCTEON处理器，Bravera存储控制器，Brightlane汽车以太网芯片组和定制ASIC。而转向3nm工艺使工程师能够降低芯片和计算系统的成本和功耗，同时保持信号完整性和性能。
3nm，台积电的新里程碑
据台积电介绍，公司的3奈米（N3）制程技术将是5奈米（N5）制程技术之后的另一个全世代制程，在N3制程技术推出时将会是业界最先进的制程技术，具备最佳的PPA及电晶体技术。相较于N5制程技术，N3制程技术的逻辑密度将增加约70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%。
不过，N3的工艺窗口（产生定义结果的参数范围）相对较窄，就产量而言可能并不适合所有应用。而且，随着制造工艺变得越来越复杂，它们的寻路、研究和开发时间也越来越长，所以我们不再看到台积电和其他代工厂每两年出现一个全新的节点。
对于N3，台积电的新节点导入周期将延长至2.5年左右。这意味着台积电将需要提供N3的增强版本，以满足其客户的需求，这些客户仍在寻求每瓦性能的改进以及每年左右晶体管密度的提升。
在2022年技术研讨会上，台积电也讨论了四种N3衍生制造工艺（总共五个3纳米级节点）——N3E、N3P、N3S和 N3X——这都将在未来几年推出。这些N3变体旨在为超高性能应用提供改进的工艺窗口、更高的性能、更高的晶体管密度和增强的电压。
其中N3E提高了性能，降低了功耗，并增加了工艺窗口，从而提高了亮了。但代价是该节点的逻辑密度略有降低。与N5相比，N3E的功耗将降低34%（在相同的速度和复杂度下）或18%的性能提升（在相同的功率和复杂度下），并将逻辑晶体管密度提高1.6倍。
根据报道，台积电将在2024年左右的某个时候推出N3P（其制造工艺的性能增强版本）以及N3S（该节点的密度增强版本）。但台积电目前并未透露这些变体的更多信息。对于那些无论功耗和成本都需要超高性能的客户，台积电将提供N3X，本质上是N4X的思想继承者。同样，台积电没有透露有关该节点的详细信息，只是说它将支持高驱动电流和电压。
值得一提的是，台积电所有这些技术都将支持FinFlex，这是台积电的一项“秘方”功能，可大大提高设计灵活性，并允许芯片设计人员精确优化性能、功耗和成本。简而言之，FinFlex允许芯片设计人员精确定制他们的构建模块，以实现更高的性能、更高的密度和更低的功耗。
在实际应用中，台积电的FinFlex技术将允许芯片设计人员在一个块内混合和匹配不同类型的标准单元，以精确定制性能、功耗和面积。对于像CPU核心这样的复杂结构，这种优化提供了很多机会来提高核心性能，同时仍然优化芯片尺寸。
但是，我们必须强调的是，FinFlex不能替代节点专业化（性能、密度、电压），因为工艺技术比单一工艺技术中的库或晶体管结构有更大的差异，但FinFlex看起来是优化性能、功率和成本的好方法台积电的N3节点。最终，这项技术将使基于FinFET的节点的灵活性更接近于基于纳米片/GAAFET的节点，这些节点将提供可调节的通道宽度以获得更高的性能或降低功耗。
三星3nm，起了个大早
其实早在台积电公布3nm量产之前，三星早就宣布已经实现了3nm工艺的量产。
2022年六月，三星宣布已开始了采用环栅（GAA）晶体管架构的3纳米（nm）工艺节点的初始生产。其中用到的多桥通道FET（MBCFET）是三星首次采用的GAA技术，该工艺突破了FinFET的性能限制，通过降低电源电压水平提高功率效率，同时还通过增加驱动电流能力提高性能。
该公司也正在开始将纳米片晶体管与半导体芯片一起用于高性能、低功耗计算应用，并计划扩展到移动处理器。
三星表示，借助公司专有技术利用具有更宽通道的纳米片，与使用具有更窄通道的纳米线的GAA技术相比，可实现更高的性能和更高的能效。利用3nm GAA技术，三星将能够调整纳米片的通道宽度，以优化功耗和性能，以满足各种客户需求。
此外，GAA的设计灵活性非常有利于设计技术协同优化（DTCO），这有助于提高功率、性能、面积（PPA）优势。与5nm工艺相比，第一代3nm工艺相比5nm功耗最高可降低45%，性能提升23%，面积减少16%，而第二代3nm工艺则功耗最高可降低50%，性能提高30%，面积减少35%。
如上所述，和台积电的工艺不一样，三星3nm采用了GAA晶体管，这开启了一个新时代。
自2019年他们最初宣布该技术以来，三星一直致力于3nm/GAAFET技术的研发。三星特有的GAA晶体管技术是多桥通道FET（MBCFET），这是一种基于纳米片的实现。基于纳米片的FET高度可定制，纳米片的宽度是定义功率和性能特征的关键指标：宽度越大，性能越好（在更高功率下）。
因此，专注于低功耗的晶体管设计可以使用更小的纳米片，而需要更高性能的逻辑可以使用更宽的纳米片。
在三星3nm被发布早期，业内人士一直在诟病其良率，但据业内人士透露，三星电子公司周一大幅提高了其为无晶圆厂客户生产的业界最先进的3纳米芯片的良率。知情人士表示，三星的第一代3纳米工艺节点的生产良率达到了“完美水平”，但他没有进一步详细说明。
而在此前，台湾媒体报道称，台积电的3纳米工艺生产良率高达85%，高于三星。但韩国业内消息人士淡化了这份报告，称这个数字似乎被夸大了。他们表示，考虑到台积电向苹果提供业界最小芯片的量产和交付时间表，其生产良率最多为50%。
按照媒体所说，因为在第一代3nm上折戟，三星正在大力投入到第二代工艺的研发中。
报告披露，三星第二代3nm GAA工艺将会在2024年量产，工艺将加入MBCFET架构，性能也将提升不少。虽然三星并没有分享4nm节点的统计差异，但与该公司5nm工艺相比，第二代3nm GAA仍有望降低多达50%的功耗、提升30%性能、以及减少35%的晶片面积占用。
巨头会师2纳米，决战
虽然三星和台积电都在3nm上花了不少心思，但从过去的新闻和厂商的公告可以看到，似乎大家都对第一代的3nm工艺不感兴趣。例如市场上一度传言，苹果会成为台积电第一代3nm工艺的唯一客户。不过，这家美国巨头迄今都没有公布其3nm产品。
由此可见，第一代3nm不被看好是业界共识了。但市场对工艺的追逐从目前看来，尚未停止。除了这两家晶圆代工厂以外，据报道，英特尔也将在2023年年底推出其3nm工艺节点。而他们似乎也把目光定在了2nm。
届时，英特尔的Intel20A（2nm）将迎来Angstrom时代，利用GAA（RibbonFET）晶体管和PowerVia技术提高功率保持能力。英特尔的竞争对手台积电将在2025年采用其2nm节点的GAA，在芯片制造商遇到小型化极限时让前者领先一步。再加上将于2025年实现2纳米原型线的日本新创企业Rapidus和三星。
对芯片公司而言，如何面对芯片设计挑战和成本挑战，会是未来他们未来多年的头等大事。

联发科3纳米芯片预计2024年量产

联发科：采用台积电3纳米制程生产的芯片已成功流片，预计2024年量产。
2023年9月7日，联发科与台积电共同宣布，联发科首款采用台积电3纳米制程生产的天玑旗舰芯片开发进度十分顺利，日前已成功流片，预计将在明年量产。台积电的3纳米制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持，还拥有更强化的性能、功耗以及良率。
相较于5纳米制程，台积电3纳米制程技术的逻辑密度增加约60%，在相同功耗下速度提升18%，或者在相同速度下功耗降低32%。联发科首款采用台积电3纳米制程的天玑旗舰芯片将于2024年下半年上市。
联发科芯片的特点：
1、高性价比：联发科芯片在性能和价格方面具有竞争力。相对于一些高端芯片，联发科芯片的价格更为亲民，适合中低端市场需求。
2、多功能集成：联发科芯片在集成度方面表现出色，能够集成多种功能模块，如CPU、GPU、调制解调器、摄像头处理器等。这种高度集成的设计可以提高设备的性能和功耗效率。
3、全球网络兼容性：联发科芯片支持多种网络制式，包括2G、3G、4G和5G等，具有良好的全球网络兼容性。这使得设备可以在不同地区和运营商的网络环境下正常运行。
以上内容参考：百度百科-联发科

台积电将在美设3纳米晶圆厂，你认为会造成什么影响？

我觉得这一行为会掏空台湾，但对于台积电国际化与吸引高阶人才有一定帮助。
台积电将在美设3纳米晶圆厂台积电创办人张忠谋在APEC会议期间曾与美国副总统谈及将在美国建议做三纳米圆晶厂，美国对此表示欢迎。日前相关报道称张忠谋已证实台积电将在美国建立3纳米制程先进晶圆厂，该工厂将建于美国亚利桑纳州，最快预计能在2025年开始量产。
这一报道在网络上引发轩然大波，网友们纷纷对这一行为表示质疑。有网友表示这一举措将有可能掏空台湾，也有网友认为此举措利大于弊。但大家的看法并不能影响台积电下一步的投资，3纳米制程先进晶圆厂的建设已不可避免。
该行为会造成什么影响？该行为所造成的影响主要包括两个方面，一方面是对台湾及台积电的影响，另一方面是对美国的影响。
对于台积电来说，将3纳米制程先进晶圆厂建立在美国能够有效增加产能，虽然其成本要比台湾地区高出50%左右，台积电的国际化进程有一定帮助，而且能够吸引高阶人才加入台积电进程。从现阶段预计来看，当美国能开始量产三纳米制程时，台积电在台湾地区的工厂已开始量产二纳米制程。因而对于台积电来说，在美国建设3纳米制程先进晶圆厂利大于弊。
对于台湾来说，台积电在美国新建工厂势必会削减台湾地区产能，这意味着台湾地区台积电在一段时间内将有可能被掏空，而且有可能造成大量人员失业及资金外流情况，这对当地发展而言极为不利。
对于美国来说，台积电积累30余年的经验能够有效提升美国供应链的韧性，且能够提供一定就业岗位，对美国来说好处多多。
对于此件事情是利是弊，普通人只能从现有相关报道内容来分析，但具体状况如何还需要时间来验证。

iPhone15或使用台积电3nm芯片，该芯片有何优势？

芯片的最大好处就是能够让手机的性能大幅度的提升。移动设备以及HPC芯片良率能够达到80%。
如果iPhone15适使用了3nm的cpu，那么在性能上面将会有着非常大的提升同时功耗肯定也会大大降低，再次增强续航能力的提升。
N3E 将进一步扩展我们的 N3 系列，提高性能、功率和良率。我们观察到 N3E 的客户参与度很高，量产计划在 N3 之后一年左右，或者大约明年这个时候。”
精度和性能成为该芯片两大优势。
台积电在芯片领域优势明显，这引起多家手机制造厂商的广泛关注。与此同时，台积电靠技术获得稳定客户，不断地完成芯片加工，并被赋予多项称号。
现阶段，IPhone 14刚上市，关于iPhone 15的消息层出不穷。其中包括iPhone 15或许将会安装来自台积电生产的最高精度手机芯片。网友看到该消息后，并没有太过惊讶，毕竟苹果公司已不是第一次向消费者画饼。
第一个优势：精度芯片生产领域中，高精度芯片可遇不可求，芯片成功率较低。假如一家芯片生产厂商迟迟无法突破芯片精度壁垒，该生产厂家会逐渐失去芯片供应商优势。以苹果公司为例，该公司从不缺合作伙伴，自然需要精益求精，寻找合作伙伴。台积电与苹果进行合作已有多年，两者信任感爆棚。3纳米芯片展现出高端芯片优势，或将成为iPhone 15的卖点。
第二个优势：性能和技术从老一代技术过渡到新一代技术，公司和技术人员面临双重挑战。全球范围内，芯片生产厂家屈指可数，而台积电却可以成为芯片行业的集大成者。这来源于台积电严格把控芯片性能和技术，三纳米芯片生产技术十分先进，或将成为该行业中第一个吃螃蟹的公司。
总结，技术、性能、芯片精度是消费者衡量芯片优缺点的依据。某些芯片消耗能量太快，消费者不买账，生产厂家无法获得收益。现如今，无论是与芯片厂家合作的手机生产厂商，还是为手机提供零部件的开发者，他们都在各自领域中，你追我赶，保障公司不被淘汰。

台积电因成本太高决定放弃N3工艺，这对智能手机的价格有哪些影响？

台积电已经做出内部决定，放弃N3工艺，因为几乎没有客户愿意使用它，包括苹果，并将在2023年下半年转向N3E工艺进行批量生产。据称，N3是昂贵的，N3E更具成本效益。根据先前的计划，台积电的3纳米（N3）工艺在完成技术开发和试生产后，预计将在第三季度的下半段开始大幅提升，月产量有望在第四季度达到数千片，并进入大规模生产。
根据产业链消息，此前计划在第四季度量产的3纳米N3工艺已经被放弃，台积电将把注意力转移到3纳米N3E工艺上。因此，台积电的3纳米芯片的大规模生产将推迟到明年下半年。原因也很简单，因为台积电现在这种3纳米N3工艺，苹果不想买单。再加上前段时间英特尔和台积电取消了3纳米的订单，换成了5纳米，台积电一下子失去了两个金主的大订单。
事实证明，台积电的N3工艺对代工来说太昂贵了，成本超过了苹果的预期。在考虑了各种选择之后，苹果放弃了使用台积电N3工艺进行代工的想法。事实上，苹果即将推出的A16芯片可能基于5纳米工艺，未来一年对3纳米工艺的需求并不高，所以现在不急于下订单。即使产品很好，如果卖不出去也是在浪费时间，台积电别无选择，只能转向技术更先进、更便宜的N3E工艺。
芯片工艺向内滚动到3纳米，很少用于智能手机以外的产品。而即使是智能手机，对3纳米的需求也不高，目前的手机市场，因为入网热潮，已经出现了容量过剩，在上面堆砌容量，不仅难以带来更好的体验，而且还大大增加了成本，使手机更加昂贵。随着工艺越来越先进，芯片也面临不能落地的困境，所以台积电也面临着一个严重的问题，那就是先进的工艺有了，但是客户却越来越少了。
那就是对于智能手机的价格将会造成很大的影响，是很有可能会使智能手机的价格进一步上涨的，如果决定放弃使用这种工艺的话，那么智能手机的价格有可能会下跌。
会议上智能手机的价格。会导致手机价格的下降，也会导致手机的销售受到影响，会导致手机的产量降低，也会导致手机的销量降低。
价格或很难回升,不过,其价格仍主要受终端需求影响。
今天是8月31日，根据最新报道显示，台积电即将放弃自己的N3工艺，也就是3nm的芯片生产工艺，虽然说这款工艺可以将芯片的性能提高百分之15，将能耗减少百分之25，以及将晶圆密度提高百分之70，但是在台积电众多的有钱的合作伙伴来看，就连intel，英伟达，就连苹果公司，也表示3nm的价格太贵了，不可能使用这种技术，所以台积电选择了放弃，那么这个举动对智能手机的价格来说有什么影响呢？
第一、这个举动对智能手机市场价格来说，其实影响并不大 第一、其实现在大家使用的芯片工艺大部分也就在5nm甚至更多，4nm都是比较高端的芯片了，所以说其实大部人的选择，尤其是中低端手机其实根本不会去特意选择3nm这种高成本的手机芯片，所以智能手机市场大部分市场其实对这个新闻并不感冒。第二、其实今年六月份三星终于实现对台积电的赶超，率先量产3nm的技术，但是三星没有什么订单，所以说对市场也不会有什么波澜，再加上目前的手机市场可以对比的很多，芯片也是够用的，所以影响并不大。
第二、这个举动可能在未来，进一步抬高高端手机的价格 台积电放弃N3以后，并不是不打算涉及3nm的工艺，而是选择绕过N3，发布N3E，这种工艺也是3nm，在性能上略微低于N3，晶圆密度大概降低百分之10，但是也意味着成本更加的低，而台积电在N3赚不到钱，肯定会在N3E上面有所获利，自然未来高端手机的价格会更高。
希望我国能够早日研发高精度的光刻机，把芯片握在自己手上！