本文目录一览：
- 1、中国的光刻机在哪里？
- 2、国产最先进光刻机
- 3、中国光刻机
- 4、中国的光刻机与刻蚀机已经达到世界先进水平，为什么有些人还说中国芯片业依旧前路艰辛？
- 5、中国光刻机现在达到了哪个水平？
- 6、中国最先进光刻机水平如何？
- 7、中国光刻机处于什么水平
- 8、中国目前光刻机处于怎样的水平？你知道吗？
- 9、如果没有专利限制中国可以找最先进的光刻机吗
中国的光刻机在哪里？
国内唯一一台7nm光刻机在武汉弘芯。
中芯国际所采购的ASML光刻机设备，只能够实现14nm芯片量产，国内最先进的光刻机设备并不是中芯国际目前所使用的光刻机设备，而是武汉弘芯在2019年12月所购得的7nm光刻机，当时武汉弘芯还举行了重大的入场仪式。
光刻机，又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。
光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动。手动指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了。
半自动指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐。自动指的是从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。
性能指标
光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。
分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。
对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等。
以上内容参考：百度百科-光刻机
国产最先进光刻机
第一，目前全球最先进的光刻机，已经实现5nm的目标。这是荷兰ASML实现的。
而ASML也不是自己一家就能够完成，而是国际合作才能实现的。其中，制造光源的设备来自美国公司；镜片，则是来源于德国的蔡司公司等。这也是全球技术的综合作用。
第二，中国进口最先进的光刻机，是7nm。
2018年，中芯国际向荷兰ASML公司定制了一台7nm工艺的EUV光刻机，当时预交了1.2亿美元的定金。请注意，当时这台机器还没有交付，而是下订单。
但国内市场上，其实已经有7nm光刻机。在2018年12月，SK海力士无锡工厂进口了中国首台7nm光刻机。海力士也是ASML的股东之一。
第三，目前国产最先进的光刻机，应该是22nm。
根据媒体报道，在2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米。
请注意该报道的标题：“重大突破，国产22纳米光刻机通过验收。”
也就是22nm的光刻机，已经是重大突破。
22nm的光刻机，关键部件已经基本上实现了国产化。“中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备，打破了传统路线格局，形成一条全新的纳米光学光刻技术路线，具有完全自主知识产权。”
有关报道中的“全新的技术”，也就是中国科研工作者在关键部件完全国产化情况下，实现的这一次技术突破
中国和世界顶尖光刻机制造还有很大差距。
华为麒麟受制于人，中芯国际不堪大用，澎湃芯片久不见进展，虎愤芯片勉强能用。
实用更是有很远的路要走。
大家放平心态。
中国光刻机
中国光刻机历程
1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机；1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺；清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。而那时，光刻机巨头ASML还没诞生。
然而，中国在1980年代放弃电子工业，导致20年技术积累全部付诸东流。1994年武汉无线电元件三厂破产改制，卖副食品去了。
1965年中国科学院研制出65型接触式光刻机。
1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。
1972年，武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》。
1977年，我国最早的光刻机GK-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。
1978年，1445所在GK-3的基础上开发了GK-4，但还是没有摆脱接触式光刻机。
1980年，清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。
1981年，中国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机。
1982年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，这些光刻机在当时的水平均不低，最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年。
1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到美国4800DSW的水平。这应当是中国第一台分步投影式光刻机，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。
但是很可惜，光刻机研发至此为止，中国开始大规模引进外资，有了＂造不如买”科技无国界的思想。光刻技术和产业化，停滞不前。放弃电子工业的自主攻关，诸如光刻机等科技计划被迫取消。
九十年代以来，光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年，这个技术非常关键，这直接导致ASML如此强势的关键。直到二十一世纪，中国才刚刚开始启动193纳米ArF光刻机项目，足足落后ASML20多年。
中国的光刻机与刻蚀机已经达到世界先进水平，为什么有些人还说中国芯片业依旧前路艰辛？
据媒体报道，2018年12月，中微半导体设备（上海）有限公司自主研制的5纳米等离子体刻蚀机经台积电验证，性能优良，将用于全球首条5纳米制程生产线。5纳米，相当于头发丝直径（约为01毫米）的二万分之一，将成为集成电路芯片上的最小线宽。台积电计划2019年进行5纳米制程试产，预计2020年量产。
▲半导体器件工艺制程从14纳米微缩到5纳，等离子蚀刻步骤会增加三倍
刻蚀机是芯片制造的关键设备之一，曾一度是发达国家的出口管制产品。中微半导体联合创始人倪图强表示，中微与科林研发(Lam Research)、应用材料(Applied Materials)、东京威力科创(Tokyo Electron Limited）、日立全球先端科技 (Hitachi High-Technologies) 4家美日企业，组成了国际第一梯队，为7纳米芯片生产线供应刻蚀机。中微半导体如今通过台积电验证的5纳米刻蚀机，预计能获得比7纳米更大的市场份额。
中科院SP超分辨光刻机
提问者所说的中国光刻机达到世界先进水平，应该是指2018年11月29日通过验收的，由中国科学院光电技术研究所主导、经过近七年艰苦攻关研制的“超分辨光刻装备”项目。
该项目下研制的这台光刻机是“世界上首台分辨力最高的紫外(即22纳米@365纳米)超分辨光刻装备”。这是一种表面等离子体（surfaceplasma，SP）超分辨光刻装备。
▲中科院研制成功并通过验收的SP光刻机
该光刻机在365纳米光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片
中国的刻蚀机的确是达到了世界先进水平，光刻机还早，而且就算是这两样都世界先进了，不代表中国芯片业的前路就不艰辛了。目前中国的刻蚀机的确领先，5纳米等离子体刻蚀机已经通过台积电验证；但是光刻机就差多了，之前新闻报道中提到的“中科院SP超分辨光刻机”其实最多只能算是一个“原型机”，和ASML的光刻机不能相提并论，也不能用来制造芯片，还需要攻克一系列的技术难题退一步讲，就算是中国的光刻机与刻蚀机都达到世界领先就解决问题了么？ASML的EUV光刻机我们已经下单等待交货了，是不是到货以后中国就可以生产7nm甚至是5nm的芯片了不要把问题想简单了，以为芯片也只有光刻机和刻蚀机。芯片制造的技术、经验、工艺以及人才是一个系统性的工程，台积电也不是一天建成的，有了光刻机也不代表我们就能造出最顶尖的芯片。
好消息：中企5nm刻蚀机已获批量订单，全球仅3家企业掌握该技术
中微公司能成为伟大公司。
中微这种国内产品唯一性稀缺性的伟大公司，具有极高的护城河，国内没有相同品质的产品。
中微半导体设备(上海)股份有限公司(简称“中微公司”)成立于2004年，是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加工设备公司，深耕芯片制造刻蚀领域，研制出国内第一台电介质刻蚀机，是我国集成电路设备行业的领先企业。
全球半导体设备市场由国外厂商主导，行业呈现高度垄断格局，“不对称竞争”是我国集成电路设备产业的主要发展矛盾。成立之后，中微公司克服研发经费不对称、人才资源不对称、准入门槛不对称等重重困难，2015年以全球领先技术打破美国对我国等离子体刻蚀设备的出口管制；2018年自主研制的5纳米等离子体刻蚀设备通过全球领先的晶圆制造厂验证，跻身国际第一梯队；2019年成为首批登陆科创板的25家企业之一。
据外媒此前报道，作为全球最大的芯片消费市场， 截至2019年中国芯片市场规模已经增长到3104亿美元， 与10年前相比扩大了140%。而近些年来，中国开始意识到芯片自给的重要性，因此芯片及其生产技术已经成为中国提升本国 科技 实力的重要领域之一。因此， 在近期中国批准了美以2大芯片巨头合并之后，中国芯片及其生产设备企业也在不断提高自身竞争力。
继中国首条14nm芯片生产线正式投产及长江存储128层3D NAND闪存芯片投产发布之后，中国近期在芯片生产设备方面又传来一大好消息。 据观察者网周四（4月23日）报道，在 去年年底宣布其5nm蚀刻机获得台积电认可之后，中微公司近期发布的2019年财报显示，该企业5nm蚀刻设备已经获得批量订单。
据悉， 5nm蚀刻机目前是集成电路制造领域中最为先进的工艺，除了中微公司之外，目前只有三星和台积电声称掌握了该工艺，也就是说目前全球仅3家企业拥有这一技术 。不过，目前只有台积电能量产5nm蚀刻机，并将于今年第二季度扩大其产量；而 三星则预计要到今年6月底才能完成5nm产线的建设，并且预计最早将于今年年底进行量产。
一直以来，全球半导体设备市场都是有国外厂商垄断。 数据显示，2018年全球前5大厂商在全球的市场份额已经超过65%。而与长江存储相似，中微公司作为半导体设备市场的追赶者，要在短期内打破外国的垄断，恐怕还有难度。不过， 如今中微公司在全球蚀刻设备市场已经占有一席之地，这无疑有助于提高我国芯片生产设备的供应安全。
中微公司的董事长尹志尧此前表示，在一些最高端的刻蚀应用中，该公司的刻蚀机还有的地方，因此还需要进行进一步的技术创新和设备升级，该公司已经在开发新一代的蚀刻机。 随着中微公司技术持续升级，未来中企在芯片生产设备的技术方面与外国厂商的差距有望进一步缩小。
中国光刻机现在达到了哪个水平？
整体上来说，我国芯片产业与发达国家确实存在较大的差距，这点是客观存在的事实。因此，美国才会有底气通过芯片以及软件的方式来打压华为与中兴等优秀的科技公司。虽然，华为具备研发高端移动处理器的能力（紫光展锐也宣布了基于6nm EUV工艺的虎贲T7520芯片），但是，依然受制于芯片生产上的限制，真正的原因还在于我国光刻机水平较为落后。
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国内能够研发光刻机的公司是上海微电子装备公司，当前该公司最先进的光刻机产品是600系列光刻机。SSX600系列光刻机最高能够实现90nm工艺制程，荷兰的ASML的高端光刻机已经能够实现5nm工艺制程，两者之间的差距相当巨大。
那么，短期内上海微电子装备公司是否能够迎头赶上呢？
答案是否定的，光刻机内部零部件工艺要求较高，短期内基本上无法实现赶超。例如光刻机较为重要的镜头，ASML公司是从德国的蔡司采购，基本上由蔡司祖传匠人独家打磨，极少能够到达这一标准；除此之外，光刻机对于光源要求同样较高，ASML公司光刻机的光源由美国CYMER公司独家提供，后来为了方便直接收购了这家公司。
除此之外，光刻机的工作台、侵液系统等难度同样较高，暂时国内工艺还达不到此标准。荷兰ASML公司的光刻机，可以看做是世界顶级零部件的集合体，缺一不可！
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那么，是否意味着国内只能够生产90nm工艺制程的芯片呢？也非如此，这里就需要讲讲中芯国际这家公司。中芯国际与台积电类似，均属于芯片代工公司。当前中芯国际已经能够实现14nm工艺制程芯片的量产，12nm工艺制程芯片也进入到客户导入环节。中芯国际自研的N+1、N+2芯片已经具备7nm工艺制程的特点，即将在2021年实现量产。也就是说，国内当前最高能够生产性能趋近于7nm工艺制程的芯片。
前不久的最新消息，华为交付给中芯国际14nm工艺的首批订单已经开始交货。这无疑是一个好消息，华为过于依赖台积电代工芯片的问题将会有所改善。
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虽说如此，我国未来的芯片产业之路依然艰辛。
中芯国际花费1.2亿美元从荷兰ASML公司订购的EUV光刻机，因为美国的施压迟迟不能够发货，未来不排除无法到货的可能。美国为了彻底切断华为的芯片供给，不断地对台积电进行施压。甚至，特朗普想要更改《外国直接产品规定》来限制华为，将由源于美国技术的供货比例由25%下调至10%。显然，美国这一做法激怒了全球各国，受到影响的并不仅仅华为这一家公司，华为未来的发展也因此充满了变数。
无论如何，我国芯片产业的道路依然艰辛，但是前途必定光明！
中国最先进光刻机水平如何？
我国九十纳米的光刻机，在这个领域水平的应当属于一流水平。
但是还远远比不上国外的水平，毕竟国外的光刻机能够制作十纳米以内的芯片，而这一年我国目前还是远远无法做到的。对此我国也正在努力进行追赶，但是短期之内还暂时无法实现，毕竟我国在光刻机这一步起步要远远晚于国外。并且很多技术都已经被国外垄断，我国只能够自主进行设计，期待有一天能够实现弯道超车。
我国芯片水平难以前进，这与人才有关。我国芯片水平局限于当前，这个标准与人才有关。我国无法培养出相关方面的人才，毕竟在这一领域内，我国还无法和西方进行比较。尤其是在人才方面根本无法和西方进行对比。这也导致我们没有优秀的工程师，只能够请国外的高薪工程师。但是国外请来的高薪工程师对技术把关非常严格，一般情况下是不会将技术透露给我国工程师，这也导致我国芯片水平局限于当前尴尬的地步。
第二点便是资金不够。这里所说的资金不够，并不是所说的投资不够，而是光刻机芯片这一行业的利润不够。因为我国目前市场上的芯片都是由外国制造的，国产芯片在我国市场根本没有任何竞争空间。这也导致了很多科技公司不愿意往芯片这个方面发展，这也是我国芯片落后于西方国家的其中一个原因。
第三点便是没有自主设计专利。目前国际上的芯片设计专利都已经被国外的光刻机公司垄断，我国能够申请的专利少之又少。基本上芯片设计的所有方面的专利都已经申请完了，剩下的专利技术对于芯片提升来说用处不大。所以归根结底以上三点便是我国芯片落后于西方国家的根本原因。
中国光刻机处于什么水平
1.现在国内的光刻机能达到多少纳米的技术？
官网显示，目前最先进的光刻机是600系列，光刻机中最高的生产工艺可以达到90nm。然而，与荷兰ASML公司拥有的EUV掩模对准器相比，它可以通过高达5纳米的工艺制造。而且3nm工艺制作的芯片即将上市。不过根据相关信息，预计中国首款采用28nm工艺的国产浸没式光刻机即将交付。虽然国产光刻机和ASML的EUV光刻机差距还很大，虽然起步晚，但是中国人的不断努力还是会弯道超车的。
第二，国内公司能否自主采购EUV光刻机来解决这种情况？
答案是否定的，要知道华为缺芯是美国的阻碍，国内公司更不可能轻易买到高端光刻机自己制造芯。虽然ASML也是通过采购世界各地的优秀零件来补上最终的光刻机，但是没有任何零件可以避开美国的核心技术，所以美国不会为了控制中国的发展而轻易让中国购买光刻机。
做一个优秀的光刻机，要做很多艰苦的工作，不仅要达到美国光源和德国镜头的高水平，还要有很多精密的仪器。光刻机任重道远！这些精密仪器的背后，也需要更多的人才、研究技术、时间投入和技术积累，也需要大量的资金。我相信中国会克服这个困难，不再受其他国家的限制。
中国目前光刻机处于怎样的水平？你知道吗？
我国的科学水平还是不断发展的，光刻机也属于我国能够独立研发生产的一种天文观测仪器。并且在不断的发展当中。
我当然知道，中国目前光刻机处于比较一般的水平，和一些欧美国家还有一些差距，还需要继续努力，我国的光刻机一直都在发展中。
中国目前的光刻机处于世界一般水平，光刻机的质量还有待提升，而且呈现出来最终的效果，也是差强人意，需要投入科研力量进行研发。
成本成本成本。系统系统系统。
原子弹可以，光刻机不行？因为需要一个市场来消化成本。
光刻机是一个方面。配套的光刻胶等耗材还是没办法自己内部解决
前些年华为缺芯事件闹得沸沸扬扬。如今华为自主研发芯片让国人为之自豪，但是又有一个问题难道不可以自己制造芯片吗？我们要知道制造芯片需要使用光刻机。但是纵观全球芯片公司，有这个技术和设备的只有三星公司了。它既可以自主研发又可以制造芯片，基本上垄断了行业芯片。但是反观中国目前的光刻机仍不能达到制作高端芯片的要求，技术还很落后。
一、如今国内光刻机能达到多少纳米的工艺制作？
查询官网可以知道，如今最先进的光刻机是600系列，光刻机最高的制作工艺可以达到90纳米。但是相比于荷兰ASML公司旗下的EUV光刻机，最高可以达到5纳米的工艺制作。而且即将推出3纳米工艺制作的芯片。但是据相关信息透露，预计我国第一台28纳米工艺的国产沉浸式光刻机即将交付。尽管国产光刻机仍与ASML的EUV光刻机还有很大的距离，虽然起步晚，但是国人的不断努力，仍会弯道超车。
二、国内公司可以自主购买EUV光刻机来解决这一现状吗？
答案是否定的。要知道华为缺芯事件就是美国从中作梗，更不可能让国内公司轻易购买到高端光刻机来自主造芯。尽管ASML公司也是通过在全球各地采购相应精良的零部件来组成最终的光刻机，但是任何零部件都无法避开美国的核心技术，所以美国为了达到控制中国发展，不会让中国轻而易举买到光刻机。
要制作出一台精良的光刻机，要做很多的攻坚，不仅要达到美国光源、德国镜头的高层面，还有许许多多的精密仪器。中国光刻机任重道远！在这些精密仪器的背后，同样也需要更多的人才、研究技术、时间投入、技术的积累同样也需要大量的资金。相信中国也会克服这一困难，从此不再受他国制约。
如果没有专利限制中国可以找最先进的光刻机吗
不可以。当然最先进的光刻机，是荷兰ASML公司制造的。由于受到专利限制，我国没法买ASML制造的光刻机。当前上海微电子已研发出支持28nm工艺的光刻机，首台已于2021年初交付客户。28nm虽然相当于荷兰ASML公司十年前的水平，但是却代表了我国目前最高端的技术。
